高压氮化镓大家普遍比较熟悉，国内知名厂商英诺赛科，国外有英飞凌,EPC，TI，纳微等。
现阶段氮化镓广泛应用于消费级充电器。对于电源来说，开关频率越高，就像高铁一样，车次越多，单位时间内能运送的人也越多，那么传递的能量越多，电源的功率密度可以大幅度提升，进而尺寸缩小。
对于电机应用来说，因为其原理的原因，逆变器主要是通过SVPWM完成DC-AC的逆变，其开关频率只能影响谐波，无法提高能量密度，并且电机控制普遍是硬开关居多，软开关不能说没有，非常罕见。
以上是氮化镓在电源和电机的应用差异的介绍。
*******************************************
下面介绍下人形上可能应用的氮化镓型号。
一般国外厂商，把650V氮化镓称为高压，因为材料的限制，氮化镓耐压做不高，无法像碳化硅做到1200V甚至2000V。
对于100V的氮化镓，一般称为中压氮化镓，即MV GaN；
40V以下的氮化镓，称为低压氮化镓，即LV GaN；
高压氮化镓已经量产很久了，价格也不贵，尤其国产的GaN。
对于中压氮化镓，现阶段各大厂商都是量产没多久，价格高昂。
因为成本高昂，而且MOSFET普遍价格走低，那么中压GaN的应用前景扑朔迷离。
以上是现阶段，行业内对MV GaN的前景担忧。
*******************************************
下面介绍人形机器人的应用，人形机器人集成了许多子系统，包括伺服控制系统、电池管理系统 (BMS)、传感器系统、AI 系统控制等。
通常在整个机器人中部署大约 40 个伺服电机 (PMSM) 和控制系统。电机分布在机器人身体的不同部位，例如颈部、躯干、手臂、腿、脚趾等。该数字不包括手部的电机。为了模拟人手的自由操作，单只手即可能集成十多个微型电机。这些电机的电源要求取决于所执行的具体功能；例如，驱动机器人手指的电机可能只需要数安培电流，而驱动髋关节或腿的电机可能需要 100 安培或更高的电流。
电流谐波的降低，那么可以直接降低电机的损耗。
考虑到人形机器人和机械臂都是密闭腔体，那么电机的损耗降低，是可以降低系统温升的。
除此之外，我发现英飞凌和TI都有共同的结论：
增加 PWM 开关频率可以减小 DC 总线电容器的尺寸和电容
降低电容尺寸和容量，那么电解电容可以更换为陶瓷电容，总的成本，尺寸，高度都有下降，间接提高了功率密度。
当 PWM 频率增加时，每个单位时间消耗的电荷量减小，这意味着所需的总线电容减少。根据 TI 的测试，将 PWM 频率从 20kHz 提高到 80kHz 后，可以用电容相等的陶瓷电容器代替电解电容器，以获得相似的总线电压纹波。与电解电容器相比，陶瓷电容器具有明显优势：更小的尺寸、更长的使用寿命、更好的高频特性等。
减小开关损耗
GaN 之所以能够实现如此低的开关损耗，源于 GaN 器件的特性。GaN 器件具有更小的栅极电容 (CG) 和更小的输出电容 (Coss)，可实现达到 Si-MOSFET 100 倍的开关速度。由于关断和开通时间缩短，可以在较短的范围内控制死区时间，例如 10-20ns，而 MOSFET 通常需要约 1us 的死区时间。
死区时间的缩短可降低开关损耗。此外，GaN FET 没有体二极管，但续流功能通过第三象限操作实现。在高频 PWM 场景中，MOSFET 的体二极管会导致较大的反向恢复损耗（Qrr 损耗）。第三象限操作还可避免开关节点响铃和由体二极管引起的 EMI 风险，从而降低对高功率密度人形机器人中其他器件的干扰。
最后说到成本，在这一点上我觉得不是问题，只要国内厂商进去卷，价格下来只是时间问题。过去几年的市场已经证明这个结论。
基于以上结论，氮化镓在人形机器人的应用中，存在较大潜力。今年我会做一些相关应用的探索。
实际应用中，要解决散热，过载，采样等多重问题，在后面的文章中逐步分享。
TI原文链接：
人形机器人 | GaN FET 在人形机器人中的应用
