三星电子将其下一代HBM（高带宽存储器）4E的目标带宽提高了25%。其策略是通过展示比 SK Hynix和美光高出一个级别的速度来扭转 HBM 市场的局面。三星电子还宣布成功开发出全球最快移动DRAM，展现了通过“速度竞赛”巩固内存市场第一地位的决心。
三星电子2月20日(当地时间)在美国旧金山举办的2025年国际半导体会议(ISSCC)上展示了带宽达每秒2.5TB(兆兆字节)的HBM4E。到目前为止，三星电子、SK 海力士和美光已将 HBM4E 带宽目标定为每秒 2TB。三星电子已设定目标，通过将每个引脚的数据传输速度从现有的 8 Gbps（千兆位每秒）提升到 10 Gbps，在 HBM4E 中实现2.5TB每秒。
HBM4E是继HBM4之后的下一代标准，计划于年内实现量产。 HBM4 预计比现一代 HBM3E 带宽提高一倍，达到每秒 2TB。业界曾计划在保持带宽的同时，通过将 HBM4E 的内存密度提高 50% 来增加总容量。三星电子已透露其确保HBM4E容量和速度的雄心。
自去年下半年以来，三星电子一直试图通过披露其 HBM4E 计划来扭转局面。去年 9 月，在 2024 年 JEDEC 汽车电子论坛上，国际半导体标准组织 (JEDEC) 宣布了在 2027 年为汽车引入HBM4E的计划。
发布会上，三星电子还发布了全球最快的每秒12.7Gb（千兆位）LPDDR5X移动DRAM。这比去年 4 月宣布的每秒 10.7Gb 有了进步。其中还介绍了有关下一代移动DRAM标准LPDDR6的线索。 LPDDR6计划通过将数据输入输出数量由现有的8个增加至12个，将速度提升约50%，同时以极低功耗应对移动AI时代。
三星电子DRAM设计团队大师孙教民解释说：“LPDDR6目前已经有了原型标准，目前正在讨论细节。”
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