韩国首尔中央地方法院第25刑事部（主审法官池贵渊）宣布，三星电子前高管金某，向中国企业泄露韩国核心半导体技术，违反《防止信息泄漏及保护产业技术相关法律》，一审判处有期徒刑7年。
同时被起诉的原分包商员工方某、金某，分别被判处2年6个月、1年6个月有期徒刑。
金某曾任三星电子部长，被指控在2016年跳槽至中国新成立的某半导体公司时，泄露了三星电子DRAM内存芯片相关制程工艺的信息。
方某曾任三星电子旗下半导体设备供应商A公司的团队负责人，被指控与金某等人合谋，窃取公司半导体沉积设备的技术数据，并泄露给中国公司。
韩国法院认定，检方对被告的大多数指控成立，并认为“以金某为首的被告人窃取了受害公司的重要数据，并将其用于为一家中国公司制造产品”、“金某泄露了三星电子的技术数据并加以利用”。
法院还指出：“这是妨碍相关领域良好竞争和贸易秩序的严重犯罪，对韩国国家产业竞争力造成重大负面影响。考虑到中国竞争对手已经进入量产阶段，三星电子的损失将是巨大的。”
根据Counterpoint Research的报告，随着DeepSeek R1在各类应用上的大规模部署，将刺激对于大容量DRAM芯片和AI芯片的需求。
目前中国补贴政策有效降低生产成本、内存企业等厂商积极扩产，将逐渐强化中国的半导体供应链。
以DRAM为例，2024年Q1韩国DRAM每GB生产成本约为0.23美元，而中国通过补贴将成本压低至0.20美元。
随着技术升级与量产规模扩大，固定成本将进一步降低，使中国内存厂在全球市场更具竞争力。
长鑫存储、兆易创新等企业正积极扩产，预计未来两年将显著提升市占率，并减少对进口技术的依赖。
虽然华为Ascend 920 GPU仅支持HBM2e，落后主流的HBM3e约两年，但DeepSeek高效的AI软件优化能力使其在低阶硬件平台上也能发挥出色性能，这也表明中国在AI训练与推理领域仍可维持竞争力。
此外，中芯国际及长鑫存储正在推动14-28nm制程的硅中介层及高K金属栅极（HKMG）技术，不仅降低了生产成本，还提高了供应链的自主性与稳定性。
Counterpoint Research预计，2025-2026年将是中国半导体产业的关键时期，但设备供应仍是最大挑战，不过北方华创的低温蚀刻技术已应用于长江存储量产276层NAND闪存芯片，并计划在未来两年内扩大使用更多国产设备，降低对外部供应的依赖。
最近一段时间，DRAM内存、NAND闪存价格不断走低，接连出现新的冰点，尤其是DDR4相当疲软，逼得三星、SK海力士、美光都计划在今年停产DDR4 DRAM，但可能很快就不一样了。
据报道，根据美光的预测，DRAM整体价格将在二季度出现回升，NAND价格也会趋于稳定，并开始反弹，其他厂商也有类似的观点。
只不过，2024年下半年以来，DRAM、NAND普遍供过于求，导致库存再度积压，显然会影响价格走势。
市场普遍认为，现阶段，随着AI产业的持续火爆，比如NVIDIA Project Digits这样的产品，无论是AI服务器还是消费级产品，都对存储有了更高的需求，而且库存问题也不再那么严重，涨价的时机已经逐渐成熟。
南亚也预测，DRAM行业最坏的时刻已经过去，预计今年上半年有望触底反弹。
同时，智能手机和PC行业对于NAND的需求也在抬升，尤其是随着新硬件的发布，新一轮换机潮即将到来，而且随着渠道库存逐渐稳定，第二季度开始涨价是极大概率事件。
