回顾2024年，碳化硅和氮化镓行业在多个领域取得了显著进步，并经历了重要的变化。展望2025年，行业也将面临新的机遇和挑战。为了更好地解读产业格局，探索未来的前进方向，行家说三代半与行家极光奖联合策划了《第三代半导体产业-行家瞭望2025》专题报道。
本期嘉宾是安海半导体运营总监李熙。接下来，我们将继续邀请更多领军企业参与《行家瞭望2025》，敬请期待。
应对地缘政治挑战与市场新机遇
国产SiC将迈向全产业链自主化
行家说三代半：尽管2024年SiC行业进入了阶段性调整期，但也不乏发展亮点。您认为行业今年取得了哪些新的进步？未来SiC行业的发展方向是什么？
李熙：2024年SiC行业虽然进入了阶段性调整期，但整个行业还是取得了很多新的进展，包括6英寸衬底材料良率进一步提升、成本进一步降低；8英寸衬底材料取得突破，多家厂商宣布实现了量产，同时成本进一步降低，这必将推动碳化硅行业的整体发展；同时山东天岳还全球首家发布了12英寸碳化硅衬底材料；多家厂商布局8英寸碳化硅晶圆厂；终端新能源车厂与上游芯片厂商达成合作协议，国产芯片逐步上车，这都是发展中新的进步。
我们认为未来碳化硅行业发展的方向，一方面还是朝着更大直径晶圆发展，进一步的降低成本；另一方面，拓展应用场景，进一步提高对硅基产品的渗透率，扩大市场规模。
行家说三代半：SiC行业竞争越发激烈，如何看待竞争格局变化？面临主要挑战和机会有哪些？
李熙：SiC行业正处于快速发展期，竞争格局的变化为行业带来了新的机遇和挑战。国内企业通过技术创新和产能扩张，正在逐步缩小与国际巨头的差距。未来，随着新能源汽车市场的持续增长和政策的进一步支持，中国SiC行业有望在全球市场中占据更加重要的位置。然而，技术壁垒、成本压力和供应链依赖等问题仍需重点关注。只有通过持续的技术创新和产业链协同，才能在全球竞争中实现可持续发展。
行家说三代半：最近，美国对中国SiC衬底发起了301调查，该事件会对国内衬底、外延、器件、模块造成怎样的影响？国内SiC厂商应如何应对地缘政治的影响？
李熙： 针对美国对中国SiC衬底厂商发起的301调查，我们认为短期内将加剧国内SiC产业的出口压力和供应链不确定性，但长期来看，地缘政治冲突反而会成为倒逼中国SiC全产业链自主化的催化剂。国内厂商需以“技术攻关+生态协同+市场内循环”为核心，借助政策与资本力量，在第三代半导体全球竞争中抢占战略高地。
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8英寸SiC进程加快
安海将推进IDM布局
行家说三代半：如何看待8英寸SiC的发展？贵公司在这方面有怎样布局？
李熙：8英寸SiC晶圆面积比6英寸增加约80%，单片芯片产出数量显著提升，理论上可降低单位芯片成本30%以上。因此，8英寸碳化硅的肯定是未来的发展方向，将进一步加速推动碳化硅器件的渗透取代IGBT的应用领域。
目前还处在一个6英寸向8英寸过渡的起步阶段，从产业链的角度看，需要上下游紧密配合推动8英寸碳化硅的发展，从设备端看已经不存在障碍，能满足8英寸碳化硅芯片的制造需求；从衬底材料端看，目前也已经突破了，国内的衬底材料厂商像山东天岳、天科合达、烁科等均宣布已经量产8英寸碳化硅衬底并逐步扩产中；从芯片的制造工艺端来看，可能还有一些问题需要解决，比如晶圆的翘曲、碎片等问题，但这些问题终会得到解决。
所以，从产业链的角度看生产8英寸碳化硅芯片并不存在什么障碍，像国外的wolfspeed、意法半导体、英飞凌等都已经布局了8英寸的碳化硅工厂，并开始小批量生产；国内多家碳化硅品牌公司开始布局8英寸工厂。目前8英寸碳化硅要解决的还是成本问题，因为8英寸碳化硅衬底和外延材料的良率还达不到6英寸的水平，以及下游晶圆厂的需求没有起来，导致8英寸衬底产能没有发释放，总体成本还是较6英寸同等面积的成本要高。
但这些都阻碍不了8英寸发展的趋势，因为8英寸碳化硅衬底价格下降也很快，预计今年2025年就能达到与6英寸同等面积的价格水平。所以，8英寸SiC是半导体产业升级的必然方向，虽短期面临技术爬坡与成本压力，但长期将重塑行业生态。
安海公司必将顺应市场发展趋势，在保证产品性能及可靠性的前提条件下，降低产品成本呼应市场需求是我们始终追求的目标。安海公司正计划从设计公司向IDM转型，6吋稳定供应，正在准备8吋工艺产能供应。
行家说三代半：贵公司2025年将重点发力哪些市场或者哪些发展目标？
李熙： 安海公司2025年重点发力的领域依然包括新能源汽车的主驱、OBC以及充电桩市场为主。还将进一步的开拓光伏和高端电源等市场。
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