消息人士透露，三星副董事长、半导体暨装置解决方案（DS）部门负责人全永铉（Young Hyun Jun）上周亲自拜访 NVIDIA 总部，展示最新的 1b DRAM 样品。
NVIDIA 去年曾要求三星改良 1b DRAM 设计，新样品即是改良成果。不过 DS 部门负责人亲自向客户展示样品，可说相当罕见。
根据韩媒 TheElec 报导，三星三星第五代 10 奈米级（1b）制程 DRAM 去年面临良率与过热问题，因此三星打算改变方向，使用 1a DRAM（即 1b DRAM 前身）制造 8 层和 12 层 HBM3E，并完全跳过 1b DRAM 制程，使用 1c DRAM 制造 HBM4。
然而，NVIDIA 要求三星使用 1b DRAM，但后者改变了方针，因此全永铉这趟旅行很可能是为了确保三星能赢得 NVIDIA 的 HBM3E 订单。
目前竞争对手 SK 海力士已经向 NVIDIA 供应使用 1b DRAM 制造的 12 层 HBM3E，美光也预期开始制造供 AI 加速器制造商使用的 HBM。上个月，三星表示其改良版 HBM3E 的准备工作进展顺利，将于第二季开始供货。
NVIDIA 执行长黄仁勋曾在 CES 展上表示，三星需要重新设计其 HBM 才能通过认证。
