一、前言
这个光耦,PC851,数据手册表明,它的输出三极管的耐压可以达到300V。为了将它应用高压模块,下面测量一下它的输出耐压以及开关速度特性。
根据PC851的数据手册, 可以看到它的Vce达到300V。 但是,他的反向击穿电压只有6V。所以,如果应用在正负交流信号控制中,需要两个并联,并增加二极管进行反向保护。 它的开关速度,根负载电阻有关系,可以看到这个延迟时间在几个微秒,这也就限制了它的开关频率。下面,测量一下它的这些特征。
使用多功能耐压测试仪,测试光耦输出耐压。首先测量它的Vce的耐压。测量结果显示,它的最高耐压为 392V。这超过了数据手册给出的耐压下线。反过来,测量输出反向耐压。只有10V左右。
● 输出耐压测试:
Vce
:392V
Vec
:10V
根据数据手册中给定的测量电路。输入限流电阻为 330欧姆。输出负载电阻为1k欧姆。在面包板上搭建测试电路,输入峰值为5V的方波信号,可以看到输出信号与输入信号呈现反相关系。在输入信号变为低电平,输出截止高电平大约延迟了40微秒,当输入信号变为高电平,输出信号变低的延迟大约为 1微秒。
▲ 图1.4.1 光耦的开关速度
● 开关速度,R1=330:
截止时间:40us
开通时间:1us
为了提高PC851的截止速度,将输入限流电阻增加到1k欧姆,也就是降低输入电流,降低输出光电三极管的饱和度。 测量输出信号的延迟, 可以看到,延迟时间从原来的40微秒,降低到8微秒。因此,光耦的开关速度,与输入电流的大小有关系。降低输入电流,可以提高输出三极管的关断速度。
● 开关速度,R1=1k:
截止时间:8us
开通时间:1.5 us
本文实际测量了光耦PC851的特性,他的输出耐压可以达到390V,开关速度小于10微秒。
PC851 High Collector - emitter Voltage Type Photocouple: https://www.alldatasheet.com/html-pdf/43375/SHARP/PC851/124/1/PC851.html
[2]PS2561-1 High Isolation Voltage Single Transistor TYpe: https://www.alldatasheet.com/html-pdf/6457/NEC/PS2561-1/39/1/PS2561-1.html