双向可控硅中的电阻位置

一、前言

  刚才针对一个双向可控硅调压模块进行的仿真，特别是针对移相电容旁边的整流桥以及后面的放电电阻功能，对比了增加这些放电电阻所带来的效果。有一个问题，那就是将放电电阻与双向可控硅的A2端口相连，可以消除输出的随机跳变。如果将放电电阻与可控硅的 A1 相连，那么会带来什么效果呢？ 下面通过仿真来说明这种情况所引起的变化。

二、仿真结果

  在刚才仿真的电路图中，修改移相电容旁边整流桥后面两个放电电阻的位置。将它们与可控硅的A2端相连。改变移相电阻R1的组织，从1k欧姆，上升到 135k欧姆。得到负载功率的平滑曲线。

  从LTspaice中读取仿真结果，可以看到输出功率随着移相电阻的增加，降低的速度比较快。从这张图上更能够看的清楚，将功率值开方，得到与输出电压有效值成正比的数值。在这里也显示了输出电压的变化情况。

  重新进行仿真，将移相电阻R1的变化减小，这样得到了68条仿真曲线。随着电阻变化，可以看到功率加速下降。

※ 总  结 ※

  本文通过LTspice对双向可控硅工作特性进行了测试。针对移相电容上的放电电阻在电路中的位置，对比了将它们与双向晶闸管的A1、A2 两个端口分别连接所带来的变化 。如果与A1连接，对输出功率影响不大。但是，如果与A2相连，可以看到，对 输出功率影响比较大，也影响了R1电阻对输出功率所带来的变化趋势。