CINNO Research产业资讯，一项能够从根本上解决超高分辨率微型显示（Micro Display）长期以来存在的像素干扰难题的核心技术问世。
根据韩媒Lawissue报道，韩国研究财团于2月12日宣布，由汉阳大学金道焕教授、延世大学赵廷浩教授、西江大学姜文成教授组成的联合研究团队，开发出了超高分辨率OLED微型显示核心技术，该技术即便在高密度像素环境下，也能实现无信号干扰的清晰画质。
硅导入型小分子空穴传输层设计及基于各向异性蚀刻的超高分辨率光刻图案开发（来源；韩国研究财团）
微型显示指的是尺寸极小的高分辨率显示器，一般指尺寸在1吋以下的显示面板。像素干扰（pixel crosstalk）是指在高分辨率显示器中，相邻像素之间发生电或光信号重叠，导致色纯度和色域降低的现象。
随着对基于虚拟现实（VR）、增强现实（AR）及混合现实（MR）等扩展现实技术的沉浸式内容需求不断增加，开发能够提供逼真视觉信息、传递即时沉浸感的OLED微型显示器变得十分必要。
然而，随着分辨率提高，像素间距缩小至几微米级别，电信号干扰随之产生，进而导致色域和色纯度下降。
为解决这一问题，关键在于精细地对像素间共享的空穴传输层进行图案化处理，以阻断流向相邻像素的泄漏电流。但目前广泛用作空穴传输层的小分子有机半导体，在实现高密度像素方面一直是个尚未解决的难题。
空穴传输层是将正极的空穴传输至发光层的功能层，泄漏电流则是指注入发光像素的电荷意外地移动到相邻非活性像素所产生的电流。
为此，研究团队开发出了可实现1万ppi以上超精细图案的有机半导体空穴传输材料，成功在高密度像素环境下实现了无信号干扰的高分辨率OLED元件。ppi（pixel per inch）是表示分辨率密度的单位，指每英寸所显示的独立像素数量。
研究人员利用基于硅（Si）半导体的各向异性蚀刻光刻工艺，开发出了一种即便在大面积晶圆（6吋）上，通过引入硅酮（silicone）分子的交联型空穴传输层，也能实现微米级精度的超高分辨率像素的技术。
各向异性蚀刻是指仅在特定方向（主要是垂直方向）蚀刻，有利于实现精密的微图案。光刻是指利用光制造半导体器件、显示器、微系统的精密图案加工技术。
此外，通过导入硅分子，控制了基于有机半导体的空穴传输层的能级和空穴传输速度，从而提高了OLED的发光效率。
金道焕教授表示：“此次研究成果具有重大意义，显著改善了传统微型显示器材料及图案工艺无法解决的像素干扰现象。通过此研究有望为加速扩大高分辨率微型显示器在构建超逼真扩展现实方面的应用可能性做出贡献。”
此项研究成果由韩国科学技术信息通信部和韩国研究财团推进的中坚研究事业、全球前沿研究中心、STEAM研究事业资助，已于1月27日发表于国际学术期刊《Nature Electronics》线上版上。
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