最近发表在《Small》杂志上的一项研究探讨了一种提高跨膜纳米流体设备中石墨烯膜稳定性的新方法。研究人员使用一种基于芘的涂层来加强石墨烯与其基底之间的附着力，从而提高设备的性能和使用寿命。
石墨烯具有优异的特性--高导电性、机械强度和渗透性，使其成为一种前景广阔的膜技术材料，可应用于单分子传感、离子过滤和能量收集等领域。然而，它在液体环境中的实际应用却因容易分层而受到阻碍。作为二维晶格中的单层碳原子，石墨烯特别适用于生物传感和能量转换中的选择性离子传输，但当石墨烯暴露在电解溶液中时，往往会从基底上脱落，导致设备失效。
为了应对这一挑战，研究人员探索了使用芘基粘附层。众所周知，芘化合物具有很强的 π-π 相互作用，可以增强石墨烯与其氮化硅（SiN）基底之间的粘附力。本研究评估了芘涂层能否有效防止分层并延长基于石墨烯的纳米流体设备的运行寿命。
研究人员开发出了用于石墨烯薄膜的芘功能化氮化硅基底。该工艺从硅芯片开始，硅芯片基底厚 500 μm，SiO2 层厚 500 nm。在这一层上蚀刻出一个 15 μm x 15 μm 的窗口，露出 30 nm 厚、1 μm 孔径的 SiN 膜。
进行化学功能化以将芘衍生物共价键合到 SiN 衬底上。他们使用硅烷和肽化学创造了一个坚固的粘附层，以促进在转移过程中和转移后与石墨烯的π-π相互作用。然后，通过化学气相沉积 （CVD） 生产的单晶石墨烯被转移到芘功能化的 SiN 衬底上。
为了测试设备性能，研究人员将样品浸入 0.1 M 盐酸 （HCl） 溶液中并测量离子传输。他们分析了跨膜电流和电导，比较了有和没有芘层的器件。其他评估包括光学和扫描电子显微镜 （SEM） 成像，以检查石墨烯的覆盖率和稳定性。
芘层显著提高了石墨烯跨膜装置的性能。应用芘涂层后，功能设备的成功率从仅 4% 增加到 76.2%。这些器件在酸性溶液中保持100 mS cm-2以下稳定的电导值，显示出减少分层和离子泄漏。
芘功能化器件的面积归一化质子电导平均为61±46 mS cm-2，与之前石墨烯研究中报告的值一致。相比之下，没有芘层的器件表现出快速分层，在暴露于电解质后的数小时内，电导下降到裸露的 SiN 衬底。
研究人员指出，电导变化可能源于悬浮石墨烯中的皱纹和纳米波纹，这可能会影响离子传输动力学。泄漏电流的减少，加上芘层粘附力的提高，允许从更大的石墨烯器件样本中收集更一致的数据，从而增强了该方法在实际应用中的可行性。
本研究提出了一种稳定石墨烯基纳米流体器件的实用解决方案，解决了水性环境中长期存在的分层问题。使用共价键合的芘基粘附层不仅加强了石墨烯与其基材之间的界面，还增强了器件的稳定性和可靠性。
这些发现表明，芘功能化可以导致更坚固的石墨烯基膜，用于离子传输、传感和能量转换。未来的研究可以在其他二维材料中探索这项技术，从而扩大纳米级流体技术的可能性。
碳基半导体（包括金刚石、碳化硅、石墨烯和碳纳米管等）因其超宽禁带、高热导率、高载流子迁移率以及优异的化学稳定性等卓越的特性，正在成为解决传统硅基半导体材料逐渐逼近物理极限问题的关键途径。在人工智能、5G/6G通信、新能源汽车等迅猛发展的新兴产业领域表现出广阔的应用前景。尤其是在当前不确定的国际局势和贸易环境背景下，碳基半导体战略意义凸显，成为多国布局的重要赛道。
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