三星西安工厂将升级286层NAND闪存工艺

三星电子正在将其中国西安工厂升级为286层(V9)NAND 闪存工艺，以应对当前的市场低迷并抵御来自中国半导体公司日益激烈的竞争。

自2023年以来，三星一直在推动将其西安工厂的主流128层(V6)NAND工艺过渡到236层(V8)生产线。然而，该公司决定更进一步，安装一条V9生产线。三星计划在今年上半年引进该工艺所需的新设备，并计划在下半年建立一条每月产能为2000~5000片晶圆的生产线。

此次转型是三星保持技术领先地位和确保长期产品竞争力的更广泛战略的一部分。

西安工厂是三星唯一的海外存储生产基地，对该公司的全球供应链至关重要，约占其NAND总产量的40%。升级到286层NAND工艺预计将显著提高该工厂的生产能力。

美国拜登政府决定在2023年授予三星“经过验证的最终用户(VEU)”许可，这一决定至关重要。这一许可使三星能够在中国生产超过200层的NAND，使三星能够在地缘政治紧张的情况下继续在中国使用先进的制造工艺。

业内人士表示：“在韩国国内扩展先进NAND工艺的同时，该公司也在升级其在中国的NAND工艺。”这种双重方法凸显了三星致力于保持国内外竞争优势的决心。该公司还自2024年下半年开始致力于将400层(V10)NAND应用于平泽P1工厂的量产线，并可能在今年下半年实现初步量产。

三星电子表示，“我们计划加速向236层和286层NAND的过渡，以确保长期的产品竞争力。”

尽管取得了这些进步，但三星预计今年第一季度每月将生产42万个NAND单元，比上一季度减少25%。这一减少反映了当前移动和PC市场需求的低迷，受到价格上涨和利率上涨等经济因素的影响。然而，人工智能(AI)数据中心等行业的需求不断增长，这促使三星等公司专注于高性能、高容量的NAND生产。