快充电源芯片U876X产品型号有U8765/U8766，推荐最大输出功率分别为65W/100W，集成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路，驱动电压为VDRV (典型值 6.2V)。
快充电源芯片U876X主要特性：
● 集成高压 E-GaN
● 集成高压启动功能
● 超低启动和工作电流，待机功耗 <30mW
● 谷底锁定模式， 最高工作频率两档可调(220kHz，130kHz)
● 集成 EMI 优化技术
● 驱动电流分档配置
● 集成 Boost 供电电路
● 集成完备的保护功能：
VDD 过压/欠压保护 (VDD OVP/UVLO)
输出过压保护 (OVP)
输入欠压保护 (BOP)
片内过热保护 (OTP)
逐周期电流限制 (OCP)
异常过流保护 (AOCP)
短路保护 (SCP)
过载保护 (OLP)
过流保护 (SOCP)
前沿消隐 (LEB)
CS 管脚开路保护
● 封装类型 ESOP-10W
快充电源芯片U876X脚位说明：
1 HV P 高压启动管脚
2 DRAIN P GaN FET 漏极引脚
3 Source P GaN FET 源极引脚
4 GND P 芯片参考地
5 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚
6 FB I 系统反馈输入管脚
7 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测
8 VDD P 芯片供电管脚
9 SW P Boost 电路内置 MOS 的漏极管脚
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EMI性能为高频交直流转换器的设计难点，为此快充电源芯片U876X通过DEM管脚集成了驱动电流分档配置功能。通过配置DEM管脚分压电阻值，可以选择不同档位的驱动电流， 进而调节GaN FET的开通速度，系统设计者可以获得最优的EMI性能和系统效率的平衡。具体分压电阻值可参照参数表。U876X 系列还集成轻载SR应力优化功能，在驱动电流配置为第一、第二、第三档位时，当芯片工作于轻载模式时，将原边开通速度减半，减小空载时SR的Vds应力过冲。
