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新品|第二代CoolSiC™MOSFETG2分立器件1200VTO-247-4HC高爬电距离

原创 英飞凌工业半导体 2025-02-08 08:31
汽车智能照明背后的“黑科技”传感器，你知道吗？ EPC专家实战拆解：电机能效优化技巧

新品

第二代CoolSiC™ MOSFET G2

分立器件1200V TO-247-4HC

高爬电距离


采用TO-247-4HC高爬电距离封装的第二代CoolSiC™ MOSFET G2 1200V 12mΩ至78mΩ系列以第一代技术的优势为基础，加快了系统设计的成本优化，实现高效率、紧凑设计和可靠性。


第二代产品在硬开关工况和软开关拓扑的关键性能指标上都有显著改进，适用于所有常见的交流-直流、直流-直流和直流-交流各种功率变换。


产品型号：

■ IMZC120R012M2H

■ IMZC120R017M2H

■ IMZC120R022M2H

■ IMZC120R026M2H

■ IMZC120R034M2H

■ IMZC120R040M2H

■ IMZC120R053M2H

■ IMZC120R078M2H


产品特点

RDS(on)=12-78mΩ，VGS=18V，Tvj=25°C

开关损耗极低

更大的最大VGS范围，-10V至+25V

过载运行温度最高可达Tvj=200°C

最大短路耐受时间2µs

基准栅极阈值电压4.2V

应用价值


更高的能源效率

优化散热

更高的功率密度

新的稳健性性能

高可靠性

容易并联


竞争优势


性能增强：开关损耗更低，效率更高

.XT互连技术：热阻更低，MOSFET温度更低

市场上同类最佳的最低RDS(on）

数据手册上保证的短路最大承受时间

独特的坚固性


应用领域


电动汽车充电

工业电机驱动和控制

不间断电源(UPS)

三相组串逆变器



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