近年来，二维材料因其独特的物理性质和在纳米电子学、量子计算、光电子学等领域的广泛应用而受到广泛关注。特别是，扭曲双层-三层石墨烯结构通过莫尔效应展现了丰富的电子性质，成为研究的热点。与传统的单层石墨烯相比，莫尔扭曲结构表现出更加丰富的电子相互作用和拓扑性质。
研究还发现，在适度的磁场下，来自ν=1/3、1/2、2/3和3/2的其他拓扑电子晶体也显现出，进一步证明了拓扑电子晶体在该系统中的多样性和可调性。通过该研究，团队不仅揭示了电子相互作用对电子结构的深刻影响，也为未来发现更多由相互作用驱动的拓扑现象提供了新的研究路径和理论依据。
研究亮点
（1）实验首次在扭曲双层-三层石墨烯中观察到了一种拓扑电子晶体（TEC），该晶体的形成由莫尔势驱动，并且在ν=1/4的带填充下，单元格面积被四倍化，表现出整数量子反常霍尔效应（QAHE）。该状态的Chern数（拓扑不变量）表现出异常的可调性，可通过电场和磁场在+1和-1之间可逆地切换。
（2）实验通过Hartree-Fock计算和单粒子带结构计算，进一步确认了在ν=1/4的填充下，晶体的形成导致莫尔单位格的四倍增大，并与带填充的变化相对应。计算结果表明，原始带的Berry曲率和Chern数在晶体形成后发生显著变化，突显了晶体化过程中带的重塑。
（3）实验还显示，在不同的磁场条件下，多个其他拓扑电子晶体也在不同的带填充（如ν=1/3、1/2、2/3、3/2）中形成。这些拓扑晶体的出现展示了在较弱磁场下，也能驱动类似的拓扑现象。
总结展望
本研究揭示了在扭曲双层-三层石墨烯中，通过时间反演对称性和离散平移对称性破缺驱动形成的拓扑电子晶体（TEC）状态的普遍性，特别是ν=1/4状态的稳健性。这为探索其他具有类似性质的材料体系提供了新思路。其次，研究表明，通过调控电场和磁场，TEC的Chern数具有可调性，展示了拓扑态的可逆切换特性，这为量子计算和量子传输等领域的应用提供了可能的实现路径。此外，文章还指出了分数量子反常霍尔效应（QAH）状态的潜在出现，提示了拓扑电子晶体与分数QAH效应之间的关系，可能催生新的准粒子和量子交换统计。未来，利用扫描探针技术直接观察电子晶体的几何结构，以及基于复杂器件几何形状的实验，可能进一步拓展这一领域的应用，尤其是在量子计算和量子信息处理中具有广泛的应用前景。
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