中韩存储技术差距已缩小至3年。长鑫存储科技（CXMT）已成功采用16纳米技术量产DDR5 DRAM。据半导体市场研究公司TechInsights报道，中国分销市场上发布的32GB DDR5 DRAM模组 由长鑫存储的16Gb DDR5 DRAM组成，该模组采用了先进的“G4” DRAM技术。
长鑫存储的16㎚ G4技术与三星电子、SK海力士于2021年开始量产的10㎚第三代（1z）工艺相当。这一进展意味着长鑫存储与韩国DRAM技术的差距已显著缩短 至3年，而上一代DRAM DDR4的技术差距超过五年。TechInsights评价称，长鑫存储成功量产16㎚ DRAM具有重大意义，标志着其已准备好与三星、SK海力士等公司竞争。
韩国企业对此表示高度警惕，并开始分析长鑫存储的16㎚ DDR5 DRAM技术。长鑫存储的DDR5 DRAM性能与三星电子、SK海力士的同规格产品相当，且位密度高于三星电子 和SK海力士的同类产品。此外，长鑫存储还突破了美国的监管限制，成功量产16㎚ DDR5 DRAM，这令国内业界感到震惊。
随着长鑫存储的成功，预计其将加速开发14-15㎚级别的“10㎚第四代（1a）”DRAM。同时，韩国半导体业界担心 长鑫存储将在DDR5市场发起“低价攻势”，对其盈利能力造成进一步冲击。然而，SK海力士首席财务官表示，中国企业DDR5产品在质量和性能上会有明显差异。
总体而言，长鑫存储在DRAM技术方面取得了显著进展，缩小了与韩国企业的技术差距，并对市场格局产生了潜在影响。
