MOSFET虽然可以在并联使用，但这些电路设计和Layout的注意事项不可不知

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单个MOSFET的最大电流能力受到其额定参数，如最大漏极电流的限制。通过将多个MOSFET并联，可以分担电流，从而允许整个电路处理更大的总电流。MOSFET的导通损耗由漏源导通电阻RDS(on)决定，多个MOSFET并联后，等效RDS(on)减小，多个MOSFET分散功耗，可以避免单个器件过热，从而简化散热设计。如果一个MOSFET出现故障，其他并联的MOSFET仍然可以继续工作，提供一定的容错能力。通过精确匹配和优化设计，MOSFET并联后可以有效分担工作负荷，减少过载风险。

所以MOSFET并联使用的好处是非常多，那当在电路中并联使用MOSFET时，有哪些注意事项呢？

在并联配置中，所有MOSFET的漏极和源极直接相连，因此其漏源电压VDS是一致的。这种一致性确保了电流分配的基础，因为在同一电压下，电流会根据RDS(on)自然分配。

1.均流问题

MOSFET参数的差异会导致电流分配不均匀，一部分MOSFET可能承载更多电流，进而过热或损坏。所以选用同一批次的MOSFET，确保 RDS(on)、阈值电压 VGS(th)和开关特性尽可能一致。在每个MOSFET的源极串联一个小电阻，一般在10mΩ至100Ω之间，用于实现均流。栅极电阻的值不可过大，否则可能降低开关效率，串联电阻相当于引入电压反馈机制，从而可以抑制电流不均的现象。

2.热失控问题

MOSFET的导通电阻RDS(on）随温度升高而增大，虽然其正温度系数特性有助于均流，但散热设计不当时仍可能出现局部过热问题。如果有条件的话为每个MOSFET提供独立散热器。在关键位置增加温度传感器，监测每个MOSFET的温度，配合保护电路，当温度过高时关断负载。

3.栅极驱动问题

并联MOSFET会增加等效栅极电容Cgs，导致栅极驱动电路的负载加重，影响开关速度和效率。建议选用驱动能力强的栅极驱动器。提升驱动电路的电源电压（如从5V提升至10V或15V），以加快开关速度。

4.电路布局与寄生效应

在高功率电路中，PCB布局会显著影响MOSFET的并联性能，寄生电阻和寄生电感会引发不均流或振荡问题。所以MOSFET的漏极、源极和栅极的连线尽量对称，避免寄生参数的不均。走线宽度足够大，特别是高电流部分，避免因电阻引起压降不一致。如果高频振荡严重，可在每个MOSFET的漏极与源极之间并联RC吸收网络。