这一方法让碳纳米管排列更加整齐!

DT半导体材料 2025-01-22 18:38


在现代材料科学领域,水平排列的碳纳米管阵列是开发下一代集成电路的有前途的材料。然而,它们的大规模集成受到当前制造技术的限制,这些技术难以实现碳纳米管阵列必要的均匀性、密度和尺寸控制。克服这一挑战需要在制造方法上做出重大转变。

近日,北京大学Jin Zhang,Liu Qian,Ziqiang Zhao提出了一种纳米接种方法,彻底改变了催化剂纳米颗粒的制备,这对碳纳米管阵列的合成至关重要。

   文章要点

研究人员以离子注入和基底处理为基础,可以精确控制催化剂的形成。进一步开发垂直喷涂化学气相沉积系统,使气流均匀化,确保碳纳米管阵列均匀生长。这种纳米接种方法最终直接生长出一英寸的碳纳米管阵列晶片,最高密度为140管μm−1

通过先进的高通量表征技术验证了所制备的碳纳米管阵列晶片的高密度和均匀性。基于该阵列的场效应晶体管表现出高导通电流、高开/关比和低亚阈值摆幅的电气特性。

这项研究推动了碳纳米管阵列制造在未来碳基电子产品中的可扩展性。






   2025(第五届)碳基半导体材料与器件产业发展论坛

2025(第五届)碳基半导体材料与器件产业发展论坛(CarbonSemi 2025)将在2025年4月10-12日于宁波召开。

碳基半导体(包括金刚石、碳化硅、石墨烯和碳纳米管等)因其超宽禁带、高热导率、高载流子迁移率以及优异的化学稳定性等卓越的特性,正在成为解决传统硅基半导体材料逐渐逼近物理极限问题的关键途径。在人工智能、5G/6G通信、新能源汽车等迅猛发展的新兴产业领域表现出广阔的应用前景。尤其是在当前不确定的国际局势和贸易环境背景下,碳基半导体战略意义凸显,成为多国布局的重要赛道。

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为此,由DT新材料将举办的第五届碳基半导体材料与器件产业发展论坛“创新·融合(金刚石&“金刚石+”)”为主题将围绕金刚石以及“金刚石+”半导体的生长、精密加工、键合、器件制造、高效热管理应用等环节中的关键技术和设备,搭建一个汇聚顶尖专家学者、企业家和产业界人士的高水平交流平台,分享与探讨碳基半导体产业趋势、创新成果和应用需求,推动碳基半导体产业上下游合作,助力产业链高质量发展。



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