在传统DRAM领域遭到中国存储器企业猛烈追击的三星电子，开始了解中国主导产品的发展和量产趋势。尤其是当有消息称中国领先的存储器公司长鑫存储（CXMT）最近开始批量生产采用10纳米DRAM工艺中的D1z（16纳米或更小）的产品时，中国半导体产业看来，做出这一决定，是为了确定追击的速度。据报道，中国存储器企业的低价攻势正在让三星越来越有危机感，未来旗舰产品的竞争将更加激烈。
据半导体产业1月22日报道，中国长鑫存储正在量产采用最领先的10纳米DRAM工艺之一的D1z的DDR5，三星电子近日开始关注这一动向。随着半导体行业“超级差距”技术竞争愈演愈烈，包括三星电子在内的半导体公司也在投入大量精力了解竞争对手的技术能力。
三星电子此次了解中国存储器企业技术能力的举动，也可以解读为这一努力的一部分。
在10nm DRAM工艺中，电路宽度按照D1x→D1y→D1z的顺序变窄。随着电路宽度变窄，更多的单元（数据存储单元）可以集成到相同区域，从而提高密度并降低功耗。随后的几代，即 D1a 到 D1b 和 D1c，被称为下一代工艺。业界认为，此前一直以D1x（18nm）和D1y（17nm）工艺生产产品的长鑫存储，随着全面导入D1z工艺，技术差距正在迅速缩小。
此前，长鑫存储已量产下一代DRAM标准DDR5，震惊业界。虽然在性能上与三星电子、SK海力士等产品还有差距，但普遍的看法是，长鑫存储的技术研发和量产速度已经超出了预期。预计长鑫存储将积极应用先进工艺，并致力于提高DDR5产品的性能。
业内人士表示，“以长鑫存储的研发速度来看，这也意味着下一代工艺D1a、D1b、D1c的研发和应用也将成为可能，三星认为不能再小看中国存储器企业了。”另有业内人士表示，“看来三星将重点全面了解中国内存市场，包括DDR5在中国的分布情况。”
中国存储器公司的攻势已经对业绩产生了直接影响。三星电子1月8日宣布，去年第四季度临时销售额达75万亿韩元，营业利润达6.5万亿韩元。三星DS部门的营业利润预计约为3万亿韩元，低于第三季度和第四季度的3.9万亿韩元。有主流分析认为，通用DRAM占整体销售额相当高比例的三星电子，受到中国存储器企业针对个人电脑用通用DRAM咄咄逼人的低价供应攻势的沉重打击。此外，随着长鑫存储今年开始全面量产DDR5，三星担心下一代DRAM的竞争可能会加剧。
在负面消息不断堆积的情况下，三星电子全力拉开技术差距，选择了“超级差距的技术实力”作为解决方案。三星电子还决定重新设计其10nm第四代（D1a）DRAM，这被指出是阻碍第五代高带宽存储器（HBM）产品HBM3E量产的因素之一。三星电子员工A表示，“一直有人说，为了解决下一代内存产品的良品率问题，需要重新审视基础，不仅包括D1c，还包括D1a的设计。”
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