MOSFET规格书中安全工作区SOA在MOS驱动电路设计时用处很大，1000字搞懂它

▼关注微信公众号：硬件那点事儿▼

所以SOA的本质就是基于MOSFET的最大结温得出的漏源电压VDS，漏极电流ID，时间t得出的保护区域。

上面就是一个典型的SOA图，SOA通常用双对数坐标图表示，其中横轴是漏源电压VDS。纵轴是漏极电流ID。曲线范围描述在特定环境温度下MOSFET可以安全工作的区域。

典型SOA的五个限制区域：

1．最大漏极电流限制：由器件的导通能力决定，垂直于电流轴。

2．最大漏源电压限制：由器件的击穿电压（BVDSS）决定，垂直于电压轴。

3．脉冲工作时间限制：对于短脉冲，允许更大的功耗，脉冲时间越短，限制越宽。

1.MOSFET参数(数据手册提供）

最大漏源电压：VDS(max）=40V

最大漏极电流：ID(max）= 310A

结温范围：Tj=-55°C至150°C

2.电路实际运行参数

MOS工作的实际最大漏源电压VDS=30V

MOS工作的实际最大脉冲电流ID=5A

MOSFET环境温度25℃

脉冲持续时间1ms，类型为单次脉冲

3.分析

MOS工作的实际最大漏源电压VDS=30V，未超过VDS(max）=40V。并且MOS工作的实际最大电流ID=5A，未超过ID(max）= 310A，脉冲时间1ms，看图会发现超过了1ms的SOA区，所以MOSFET会损坏。