最初，三星计划在去年年底完成10nm级第六代DRAM开发并投入量产，但由于成品率不佳，开发被推迟了大约半年。如果1c DRAM的开发不能按计划进行，原定于今年下半年量产的第六代高带宽存储器（HBM4）也可能会遇到障碍。
据业内人士1月20日透露，三星电子1c DRAM开发面临困难，去年年底推出了第一款可运行的芯片，但它的产量并未达到预期，开发阶段投入量产的成品率通常为60-70%。
为此，据悉，公司内部将1c DRAM成品率提升至70%左右的开发目标从去年12月修改为今年6月。业界通常认为一代产品的发展周期为18个月左右。三星电子于2022年12月宣布开发出10nm级第五代（1b）DRAM，并于2023年5月量产，但此后便没有1c DRAM的消息。
三星电子在开发1c DRAM方面遇到困难，可能会落后于竞争对手。 SK海力士宣布2月量产1c DRAM，美光则于今年4月制定了1c DRAM内部路线图。如果三星电子在6月份完成1c DRAM开发，将成为全球三大存储器公司中最晚的公司。
如果1c DRAM的开发延迟，量产自然也会延迟。如果按从开发到量产的时间约半年计算，预计三星电子要到今年年底才能够量产1c DRAM。三星电子未能维持去年3月下旬在美国硅谷举行的全球半导体会议“MemCon 2024”上宣布的计划。三星电子当时公开了其下一代DRAM路线图，并宣布计划在去年年底左右量产1c DRAM。
这也影响到了三星电子HBM研发。就1c DRAM而言，开发核心产品往往是DDR5，但衍生产品HBM的开发晚于核心产品。如果核心产品在今年年底投入量产，这意味着 HBM4 的量产可能会延续到今年以后。三星电子宣布将把1c DRAM技术应用于HBM4，并于今年下半年开始量产。
三星电子计划今年上半年全力投入DRAM开发，以尽快提高良率。竞争对手SK海力士选择稳扎稳打，将领先一代的10nm级第五代（1b）工艺应用于HBM4。而紧随HBM市场脚步的三星电子则大胆出手，将1c DRAM先进工艺应用于HBM4。
半导体业内人士表示，“据我们了解，三星电子正在对1c DRAM的设计进行部分修改，将尽可能提前开发时间”。
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