据悉，美国美光公司今年正准备与SK海力士相当的资本支出（CAPEX）。美光在全球存储器半导体市场中位居三星电子和SK海力士之后，位居第三，但其资本支出却与龙头企业不相上下，这很不寻常，被解读为不仅为了迅速赶超三星电子和SK海力士，也是为了不仅在技术方面，而且在生产能力方面。
据业内人士1月20日透露，美光公司公布的2025财年（2024年9月至2025年8月）资本支出预期为140亿美元（1024.366亿元人民币）。这比上年增长了72.8%。这一数额超过了2022财年119.8亿美元的纪录。
尤其是其规模可与SK海力士相媲美。据市场研究公司TechInsights和三星证券统计，SK海力士今年的资本支出为150亿美元（约合21.75万亿韩元）。虽然比去年的CAPEX规模（约16.5万亿韩元）有所增加，但美光的投资额已大幅增加，已经可以与他们比肩了。
熟悉美光情况的业内人士表示，“目前，NVIDIA AI半导体生态系统中，与SK海力士相比，美光正推行通过迅速扩大产能来增加供应的策略”。
美光像SK海力士这样大规模的投资实属罕见。虽然SK海力士在2022年大幅削减了投资，使其投资额度低于美光，但两家公司同时增加投资的情况下，CAPEX持平的情况并不常见。
有解读认为，从HBM获得信心的美光正在积极投资，以抓住机遇。事实上，美光公司正在迅速扩大其产能。
第一，去年收购的友达台湾两座工厂将完成改造，今年内投入运营。友达光电是一家显示器公司，但由于其可以利用洁净室而被美光收购。美光公司将在这里进行 HBM 制造所需的晶圆测试和封装。
此外，美光2023年开始动工的印度古吉拉特邦封装厂预计今年开始出货产品，新加坡先进封装厂及日本广岛DRAM/HBM生产厂也正在筹备中，目标是2027年。
此外，美光也在美国同步投资，爱达荷州和纽约州正在建设大规模DRAM生产设施项目，投资额达500亿美元。
美光扩大投资对于韩国存储器产业来说是一个负担。这是因为中国内存公司正在压低传统 DRAM 的价格，这进一步加剧了尖端 DRAM 和 HBM 之间的竞争。截至 2023 年，美光在 HBM 市场的份额为 9%，目标是今年将其扩大到 20%。
Techinsights 韩国分公司经理 Jeon Sang-yoon 表示，“美光很难在规模上立即超越韩国内存公司，但它确实在积极扩大产能，而SK 海力士该公司还投资了M15X和龙仁半导体集群，并且还在将其现有晶圆厂扩展到 HBM。我们的应对措施是将其部分转换为不同的用途。”
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