SK海力士今年将在龙仁启动其首个半导体项目。该项目是一个大型项目，SK海力士将在10年内投资约120万亿韩元（6060亿元人民币），建设四座内存工厂。该公司计划投入数万亿美元来满足全球对人工智能（AI）内存快速增长的需求。
据相关业界1月20日透露，SK海力士将于3月在龙仁市破土动工建设首个半导体生产工厂（Fab）。此次奠基仪式是在龙仁产业集群发展计划宣布五年后举行的。建设包含这些内容的龙仁半导体集群的计划于2019年2月宣布，但由于种种原因被无限期推迟。
首先，包括通过堆叠DRAM制成的高带宽存储器（HBM）在内的下一代DRAM计划在这里生产，工厂建设将投资约9.4万亿韩元（474.7亿元人民币）。该产品产能为每月20万片（以每座晶圆12英寸晶圆计算），预计最高产量可达80万片。该工程预计于今年 3 月开工，预计 2027 年 5 月完工。该工厂的建设被解读为是为了应对快速增长的AI内存需求而采取的措施。 HBM 通常与 DDR5 和 eSSD 一起被归类为 AI 和服务器内存，并且最近 Nvidia 等全球大型科技公司的需求迅速增加。
SK海力士表示：“我们计划建设一座小型晶圆厂，以加强小型企业（材料、零部件和设备）生态系统，并支持小型企业核心公司的技术开发、验证和评估。”
除了龙仁集群项目外，今年还计划量产高带宽存储器（HBM）4和供应321层NAND闪存，预计将取得重大成果。从半年来看，SK海力士计划在今年上半年向客户供应321层NAND闪存产品。 SK海力士去年年底开始量产全球最高密度的321层1Tb TLC 4D NAND闪存，并计划以清州工厂为中心，建设每月产能超过3万片的新工厂。
NAND闪存是一种即使断电也能保存数据的半导体存储器。目前NAND flash在清州、利川、大连等工厂生产，其中中国工厂产量最大（约10万片）。
下半年，SK海力士第六代HBM4将量产。 SK海力士原本计划在2026年量产HBM4，但在去年的发布会上，其披露了2025年量产HBM4的路线图，比原计划提前了一年。具体来说，目标是年内生产12层HBM4，明年生产16层HBM4产品。
SK海力士提前一年投产的具体原因尚不清楚，但业界解读为是为了满足Nvidia等全球大型科技公司更先进的需求。目前，SK海力士于去年3月向NVIDIA供应8层HBM3E，并于同年9月在全球首次量产12层产品。
预计研发投资比例也将增加。 SK海力士表示，“我们正在扩大规模，目标是将研发投入与销售额的比率提高到全球领先水平，我们的目标是通过积极的研发投入，以最强的技术实力保持超强的竞争力”。
存储芯片交流群
