SK海力士将于2月份在全球率先采用10nm级第六代（1c）精细工艺量产DRAM。该公司自去年8月开发出全球首款采用1c的16Gb（千兆位）DDR5（双倍数据速率5）DRAM以来，直至量产，一直保持全球第一的头衔。
据业内人士1月17日透露，SK海力士近日完成了1c DDR5的量产认证（MS Qual，Mass product certification）。量产认证又称批量资格认证，是指连续几个批次（基本生产单位，1批次为25片晶圆）的生产结果全部满足质量及良率要求，可以进行全面量产时，颁发的认证证书。
SK海力士CTO兼未来技术中心副总裁车善勇在1月15日举行的全体会议——研发故事谈话活动上表示，“一旦将 1c DDR5 管理从开发部门转移到制造部门的过程完成，预计将于 2 月初开始全面量产。
SK海力士在业界最先进工艺第六代10nm DRAM的开发和量产方面均领先于竞争对手三星电子和美光，巩固了其作为第一大DRAM公司的地位。三星电子和美光都正在开发10nm级的第6代DRAM。
考虑到从开发到量产至少需要六个月的时间，即使竞争对手现在开发出10nm级的第六代DRAM，也将比SK海力士落后至少六个月。半导体业界认为，过去后来居上的SK海力士从10nm级第四代（1a）开始，实现了与三星电子并驾齐驱的发展，并从10nm级第五代（1b）开始超越三星电子。
随着半导体产业迈入10nm级别，DRAM技术难度加大，线宽不再以具体数字来表示，而是以字母符号或代数来表示。10nm级DRAM工艺技术正在按照以下顺序开发：1x（第一代）-1y（第二代）-1z（第三代）-1a（第四代）-1b（第五代）-1c（第六代） 。随着代数的提升，线宽越来越窄，单个晶圆上能够生产的DRAM就越多，越接近 1c，这个过程就越困难。
SK Hynix通过扩展1b DRAM的平台开发了1c。这是一个平台策略，可以有效地将1b的优势转移到1c，同时减少反复试验。
1c DDR5将主要应用于高性能数据中心，其运行速度为8Gbps（千兆位每秒），比上一代快11%，电源效率提高了9%以上。
SK Hynix计划将1c技术应用于其未来的第7代高带宽存储器（HBM）HBM4E。
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