功率MOS场效应晶体管电参数指标中规定的电参数一般分为三大类：直流参数、交流参数和极限参数。直流参数包括：漏源击穿电压BVDSS，静态漏源导通电阻RDS(on)，栅阈值电压VGS(th)，正向跨导gfs等;交流参数包括：输入电容Ciss、输出电容Coss，反向传递电容Crss，开关时间ton、ts、tf等；极限参数包括：连续电流ID和脉冲漏电流IDM，最大耗散功率PD，栅源电压VGS，单脉冲雪崩耐量EAS等。功率MOS场效应晶体管的设计任务就是根据用户使用要求，确定主要电学参数指标，设计出满足参数指标要求的纵向参数、横向参数和热学参数。
功率MOS场效应晶体管在实际设计过程中，主要从以下几个方面进行设计：功率MOS场效应晶体管的结构设计、功率MOS场效应晶体管的主要电参数设计、功率MOS场效应晶体管的工艺设计以及功率MOS场效应晶体管的零部件设计。
由产品电参数指标可知，该产品具有漏源击穿电压（BVDSS）、导通电阻低、电流容量高、耗散功率大、抗静电击穿能力强等特点。产品具有电压控制、快开关速度、易并联以及电参数温度稳定性高。非常适合应用于开关电源、马达驱动、逆
变器、斩波器、音频放大器以及高能量脉冲电路。
表1 产品电参数指标（25℃）
设计参数总结：
图1为仿真得到的器件漏源击穿电压BVDSS曲线。由图1可见，在采用上述外延层掺杂浓度和厚度情况下，仿真得到的器件漏源击穿电压约为660V（测试条件为IDS=1mA,VGS=0V），仿真得到的漏源击穿电压高于产品电参数指标要求的500V，满足指标要求。图2为仿真得到的器件漏电流IDSS曲线。由图2可见，在测试条件VDS=400V,VGS=0V下，器件漏电流IDSS小于1.3μA，远远低于电参数指标要求（25μA），满足指标要求。
图3为仿真得到的产品转移特性曲线。按照测试阈值的电压的条件，在仿真过程中将漏极和栅极短接。当IDS=250μA时，仿真得到的器件栅源电压约为2.25V（阈值电压）。仿真得到的器件阈值电压在电参数指标要求的2~4V的范围内，满足指标要求。
图4为仿真得到的器件的输入电容、输出电容以及反向传输电容随漏源电压变化的曲线。仿真测试条件与电参数表中测试条件相同，在栅源电压为0V，漏源电压为25V，测试频率为1MHZ。由图4可见，在漏源电压为25V情况下，输出电容为1800PF，输出电容为500PF，反向传输电容为200PF，三种电容均满足电参数指标要求，表明器件结构参数的设计满足交流特性要求。
