安森美半导体今天宣布，它已以 1.15 亿美元现金从 Qorvo 完成对碳化硅结型场效应晶体管 (SiC JFET) 技术业务（包括 United Silicon Carbide 子公司）的收购。SiC JFET 技术的加入将补充安森美广泛的 EliteSiC 电源产品组合，使公司能够满足 AI 数据中心电源单元 AC-DC 级对高能效和功率密度的需求。onsemi表示，这1.15亿美元收购 Qorvo 的 SiC JFET 技术是功率半导体领域的一项战略举措，预计到2030年可将市场机会拓展到13亿美元。这笔交易加强了安森美半导体在两个关键增长领域的地位：人工智能数据中心和电动汽车。
SiC JFET 技术与 onsemi 的 EliteSiC 产品组合的整合满足了 AI 基础设施日益增长的功率密度需求，这在数据中心在 AI 热潮中努力提高能源效率的情况下尤为重要。就背景而言，传统的硅基电源解决方案已达到其物理极限，这使得 SiC 技术对于高性能计算应用越来越有价值。在电动汽车领域，此次收购的价值主张在于电池断路装置，其中 SiC JFET 可以通过组件整合来提高效率和安全性。这与行业推动电动汽车更高电压架构的趋势相一致，有可能让安森美半导体在快速增长的电动汽车市场中获得竞争优势。此次补充收购1.15亿美元约占安森美半导体市值的 0.5%，因此这是一笔相对较小但具有战略意义的投资。公司预计到 2030 年该笔交易带来的市场机会拓展到13亿美元，收购价格的潜在投资回报率将乘数超过 11 倍，但实际回报将取决于市场份额13亿美元的获取和执行。鉴于人工智能基础设施支出激增和电动汽车采用曲线加速，这一时机尤为合适。此次交易增强了安森美在高利润功率半导体领域的竞争优势，可能支持未来几年毛利率的扩大。鉴于安森美强劲的资产负债表，此次交易的全现金性质为未来的战略举措保持了财务灵活性。就在上月月初，适逢安森美成立二十五周年，同时安森美CEO刚刚再度访华，除了与行业客户进行交流之外，还与中国媒体聊了聊公司未来的思考，战略规划，创新突破，以及对中国市场的重视和信心。或许，我们从其中窥探出安森美收购背后更多深意。在媒体会上，安森美CEO Hassane El-Khoury一腔热血地宣布了未来公司布局战略：“我们的产品线正从汽车领域向工业和人工智能数据中心等领域拓展。”他上述战略的解释是，如今，一个典型的AI数据中心机柜所需的能量几乎与电动汽车相当。为了应对这种不断增长的功率需求，提高效率已然成为了数据中心大规模部署的关键，影响着数据中心的运营和维护成本。如果从交流电算起，数据中心的电力传输至少需要经历四次转换，这与汽车中的能源转换过程有所不同，但底层技术上和需求上都很接近，但这种多次转换会损失大量的能量。因此，减少这些损失，提高电源转换效率至关重要，以确保为GPU提供更多的电力。
为了更好地服务于工业和AI两大市场，安森美致力于缩短产品设计周期，以便更迅速地响应AI数据中心市场的需求。体现在产品层面就是安森美的EliteSiC、Hyperlux和最新推出的Treo混合信号与模拟平台。从中，我们看到EliteSiC是很重要的一个环节。可以说，SiC是安森美这家公司的灵魂所在。伴随着汽车电动化革命整合供应链和产品创新，碳化硅营收持续翻倍成长，在最新的碳化硅供应商排名中，安森美排名第二。这样看，拓展SiC在工业和AI上的边界，无疑是让安森美可以继续精进自己。
从更深层次的技术角度来看，此次收购中，关键的地方在于SiC FET这一技术。根据安森美的分享，SiC JFET有三个参数在特定应用中非常高：拥有最低的导通电阻，因此可以拥有最高的半导体技术效率，从数据中我们可以看到SiC JFET的单位面积的Rds（on）为0.7Ω-cm²，而SiC FET则为1.4Ω-cm²；拥有更快的开关速度，可以使人工智能/数据中心机架的电源更小、更高效，从数据中可看出SiC JFET的开关速度为500 KHz，而SiC FET为200 KHz；可以利用现有驱动程序实现最小的模具尺寸和可用性，降低系统成本。从数据中可以看出SiC JFET的Die-Size为4.0 mm²，SiC FET为7.2mm²。
当然，SiC JFET不是万能的，JFET不容易并行，因此它们不用于牵引逆变器等大功率应用中。但对追求更高电源和功率发展的数据中心来说，电阻小、频率高的SiC JFET就非常合适了。
JFET拥有更小的模具尺寸，也拥有使用现有驱动器的能力，能够提供最低的总体系统成本，提供最佳的效率。因此，安森美认为SiC JFET有望取代超结硅MOSFET，并与GaN竞争。
在电动汽车中，SiC JFET也有许多长期机会。现在，大多数电动汽车使用的是机电继电器来驱动电池断路单元（BDU），这些继电器随着时间推移会氧化，变得不那么可靠。而SiC JFET可以更快、更安全、更可靠地断开电源。安森美列举了其中现在比较流行的几个开关应用——主保险丝（Main Fuse）、汽车接触器（Contactor）、爆管熔断器（Pyrofuse）、预充电器（Pre-charge）。
当然，SiC JFET的价值不止如此，其在工业领域也极具潜力。正因工业、新能源市场的一些关键应用和汽车类似，如继电器、接触器都可以使用半导体，所以说工业市场也是JFET的重要领域，比如断电保护和接触器等。
此次收购的技术意义在于 SiC JFET 的独特性能，与传统的硅基解决方案相比，SiC JFET 具有出色的开关特性和热性能。在功率密度和效率是关键瓶颈的 AI 数据中心应用中，SiC JFET 可以显著降低 AC-DC 转换阶段的功率损耗。对于工业应用，特别是在储能系统和固态断路器中，SiC JFET 可实现以前使用硅技术无法实现的新拓扑。这为电网现代化和可再生能源整合带来了机遇，而高效率的电力转换在这些领域至关重要。Qorvo 的技术与 onsemi 现有的产品组合整合，可提供更全面的电源解决方案，从而有可能加速这些高增长领域的客户采用和市场渗透。onsemi 集团总裁兼电源解决方案集团总经理 Simon Keeton 表示：“此次收购进一步加强了 onsemi 在电源半导体领域的领导地位，为客户提供颠覆性和市场领先的技术，以解决他们在 AI 数据中心、汽车和工业市场中最紧迫的功率密度和效率问题。我们将继续创新和投资，以扩大我们在提供最全面电源系统解决方案方面的技术领先地位。”*免责声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，碳化硅芯观察转载仅为了传达观点，仅代表碳化硅芯观察对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系碳化硅芯观察。
