动动手指，关注公众号并加星标哦
(1)
在文献[2]中，提到了这样一句话，In most CMOS technologies,PMOS devices are quite inferior to NMOS transistors.
也就是说，PMOS的在很多性能上，不如NMOS。为什么呢？
(2)
首先，PMOS中的多子是空穴，NMOS中的多子是电子，而空穴的迁移率要小于电子。
这是因为，当自由电子形成后，它不需要与其他原子进行交互，独立运动。而对于空穴而言，它是需要与其他原子进行交互的，比如说，空穴想从位置1移动到位置3，它不是像电子一样，直接就过去了，而是需要位置2的电子进入位置1中的空穴，以在位置2形成空穴，然后位置3的电子跳入位置2的空穴，以在位置3形成空穴，也就是需要不断重复release-trap-release的过程。
(3)
而NMOS和PMOS的低频I/V公式，如果忽略掉各种二阶效应的话，公式如下图所示。
又因为
那么在相同的尺寸下，NMOS的电流要大于NMOS的电流。
同样的，NMOS和PMOS的互导gm的公式如下图所示。
所以NMOS的互导要大于PMOS的互导。
(4)
在文献[2]中，还提到说，for given dimensions and bias currents,NMOS transistors exhibit a higher output resistance.
同样，在文献[2]中的2.4.4节，有给出0.5um工艺的level 1的spice model参数。
可以看到，沟道调制因子λp=2*λn，又因为：
所以，当偏置电流一样时，NMOS的输出电阻会更大。
(5)
也有个例外，就是当要求闪烁噪声比较低的时候，则会选择PMOS。
参考文献(下载见下图的二维码):
[1] Behzad Razavi, Fundamentals of Microelectronics
[2] Behzad Razavi，Design of Analog CMOS Integrated Circuits
[3] Behzad Razavi，RF Microelectronics
射频系统(37本)，芯片书籍(12本)，运放设计视频等资料，扫码自取
完结接收机课程吆喝处哈(已在平台上购买的同学，加我微信，领课件资料哈！)
想报名的同学，可以海报底部扫码哈！
☜左右滑动查看更多
Slide for more photos
