中国台湾经济部门13日宣布，台积电（TSMC）在美国投资生产下一代2纳米（nm）芯片将不再受到政策限制。然而，台经济部门也强调，鉴于这笔投资高达300亿美元，作为全球最大的芯片代工制造商，台积电不会轻率做出决定。
此前，为维护中国台湾的芯片技术优势，当地政府曾禁止本地芯片制造商在海外工厂使用更先进的技术生产芯片。据透露，这些制造商之前仅被允许使用相对落后的技术，特别是至少比中国台湾本地落后两代的技术来生产芯片。
“那些是老规矩了，现在时代不同了。”经济部门负责人郭智辉在昨日的新闻发布会上表示。郭智辉指出：“私营企业应根据自身的技术进展来制定商业决策。”他还表示，台积电将“审慎”评估在美国投资建设2纳米晶圆厂的可能性，该项目预计耗资280亿至300亿美元，并强调台积电不会屈服于美国新政府的压力，也不会急于在美国建立如此先进的芯片制造厂。
台积电方面透露，其位于亚利桑那州的晶圆厂将于今年上半年开始生产4纳米技术芯片，并计划于2028年生产采用2纳米和3纳米技术的芯片。
据《台北时报》报道，郭智辉在政府新闻发布会上表示，台积电现在被允许在其台湾以外的工厂使用即将推出的2纳米级制程技术生产芯片。
此前，为保持所谓的“硅盾”策略，即确保最先进的制程节点在台湾生产，台积电被禁止在台湾以外的工厂使用其最新的制程技术。不过，尽管台积电现在可以正式将其N2系列制程技术出口到美国，但其目前唯一计划建设的2纳米晶圆厂要到2020年代末才能投产。
郭智辉还提到，过去台湾当局规定海外芯片生产至少要落后国内两代技术。但现在，政府已经更新了立场，允许企业根据技术进步和市场机会来做出决策。目前，台积电在亚利桑那州的Fab 21第一阶段工厂正在使用其N4系列（4纳米级）技术生产芯片。该公司的下一个模块——Fab 21第二阶段预计将采用3纳米级制程技术，并计划于2028年投产。理论上，台积电可以在Fab 21第二阶段安装更先进的设备，使其能够使用N2系列制程节点生产半导体。但根据目前的规划，台积电的A16和N2制程技术将在2020年代末用于Fab 21第三阶段。台积电在亚利桑那州的总投资预计将超过65亿美元。
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