KnowMade最新的碳化硅专利报告显示，市场竞争加剧和持续的地缘政治紧张局势推动了SiC供应链的IP活动自2021年起，碳化硅行业的专利申请活动就呈现出诸多值得关注的变化。
数据显示，2023 年披露的相关发明数量较 2021 年高出了 50% 有余。不仅如此，不少既有专利持有者还积极拓展其碳化硅发明的保护范围。随着电动汽车领域对碳化硅功率器件大规模应用的预期增强，众多碳化硅企业纷纷在该行业的关键战略区域加大专利申请力度。同时，行业内的一些先驱企业更是未雨绸缪，鉴于预见会有大量挑战者涌入，它们加快了自身的知识产权活动步伐，旨在通过专利巩固市场地位，毕竟在当下竞争白热化的环境中，专利已然成为企业立足的关键要素。
值得一提的是，中美贸易战也在一定程度上影响了行业的专利申请节奏，它推动了全球多地尤其是中国本地化碳化硅供应链的建设。从 2021 年到 2023 年，中国参与者披露的发明数量实现了约60%的显著增长，参与碳化硅相关活动的中国企业和研究机构数量也在迅速攀升。自2022年以来，碳化硅衬底领域涌现出超过25家新的知识产权主体，碳化硅器件方面更是有约50家新主体加入。这样蓬勃发展的本地生态系统助力中国有效解决了碳化硅芯片行业的供应短缺难题，但也导致了芯片市场供过于求，价格竞争愈发激烈，进而促使晶片供应商越发倚重专利来抗衡对手。
在企业的知识产权策略方面，部分碳化硅器件市场参与者正着力打造垂直整合的制造基础设施，采用集成器件制造商（IDM）商业模式，将碳化硅制造的各个环节都整合在企业内部。然而，不同企业在供应链上采取的知识产权策略却大相径庭，有些企业高度依赖专利来维护市场地位，而另一些企业在这方面的布局则相对薄弱。
技术角度来看，多数企业已将沟槽 MOSFET 纳入自身技术路线，使得该领域专利申请日益增多，竞争愈发激烈。
从地域角度来看，中国企业在国外申请专利的数量占比极低，不到 5%，这意味着现阶段多数中国企业暂无在境外挑战竞争对手领先地位的计划。不过，近年来中国政府大力推动企业专利申请工作，成效显著，2023年全球公布的碳化硅专利申请中，超70%都来自中国实体。
