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(1)
我的进度实在是太慢了。
间歇式的想躺平，就特别想，躺在床上，看他个几部电视剧，看到天昏地暗。
今天和队友聊天，他说他正意气风发，想鸡娃和自己。我则相反，很想躺平。
(2)
今天，看了文献[2]中的第二章，有一点点认知更新，或者以前的疑问有了答案。但是看到答案后，我又想，这么简单，为什么没看到答案的时候，没想出来？？
一个是关于，在设计的时候，通常是想让管子正常放大的话，需要把管子置于饱和区，不能在triode region，因为gm在triode region的时候，会比较小。
然后，我就这样了，没有去算为什么gm在triode region会比较小，也有可能算了，但是没有琢磨出味来。现在看，完全不能接受。
在triode region时，计算结果如上图所示。然后在triode region时，gm会随VDS的减小而减小，到deep triode region处，就快是0了。
(3)
还有一个点，就是沟道调制效应。在saturation region，沟道长度会随着VDS的增加而缓慢减小。
以前，只知道下面的公式。
看了文献[2]以后，知道这个是怎么来的了。
而这个又带来一个好处。
以前我要知道gm是怎么受沟道调制效应的时候，总是要再用I/V公式来推导一下，现在再看，有L的地方，就需要加上1+λ VDS。
(4)
还有一个subthreshold conduction，第一次知道这个，是一位做模拟的前辈问我，你知道我们想高增益，会让管子工作在哪个区么？我当时刚开始看微电子基础，只知道两个区，一个triode region，一个saturation region。
前辈说，是subthreshold region(如果没记错的话)。我当时心里就想，如果书上没有讲到这些，全凭工作经验而来，那我就歇菜了。好在，今天在书上看到详细的解释了。虽然还是有点懵懂，不知道怎么具体用到设计中，但是好歹有个印象了。
(5)
这两天，看第二章节，边看边在A3纸上画了一张思维导图。还有几个小章节没有空间了，还没写。
看上去五颜六色的，是不是很唬人，哈哈。
参考文献（文献也在下面的链接中）：
[1] Behzad Razavi, Fundamentals of Microelectronics
[2] Behzad Razavi，Design of Analog CMOS Integrated Circuits
[3] Behzad Razavi，RF Microelectronics
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