安森美年度十大新闻出炉

安森美推出九款全新EliteSiC功率集成模块 (PIM)，可为电动汽车(EV)直流超快速充电桩和储能系统(ESS)提供双向充电功能。这更紧凑、更轻的充电平台，将为设计人员提供快速部署可靠、高效和可扩展的直流快充网络所需的所有关键构建模块，实现在短短15分钟内将电动汽车电池充电至80%。

安森美推出采用了新的场截止第 7 代 (FS7) 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 技术的1200V SPM31智能功率模块 (IPM)。与市场上其他领先的解决方案相比，SPM31 IPM 能效更高、尺寸更小、功率密度更高，因而总体系统成本更低。

安森美成立模拟与混合信号事业部（AMG），并由新任命的事业部总裁Sudhir Gopalswamy领导。该事业部将专注于扩大安森美行业领先的电源管理和传感器接口产品组合，解锁价值193亿美元的新增市场，并加速公司在汽车、工业和云端市场的增长。

安森美推出先进的微型模拟前端 (AFE)——CEM102，能以超低的电流实现超高精度的电化学传感。CEM102具备小巧外形和业内超低功耗，工程师采用它能为工业、环境和医疗保健应用开发小巧的多用途解决方案。

安森美最新一代 EliteSiC M3e MOSFET 能将电气化应用的关断损耗降低多达 50%，该平台采用经过实际验证的平面架构，以独特方式降低了导通损耗和开关损耗，此外，与安森美智能电源产品组合搭配使用时，EliteSiC M3e 可以提供更优化的系统方案并缩短产品上市时间。

安森美与大众汽车集团签署了一项多年期协议，为集团旗下多个品牌的车系提供解决方案。安森美将提供全套碳化硅（SiC）技术，作为可扩展至所有电源平台的集成模块解决方案的一部分 。大众集团将受益于安森美在欧洲扩大生产的计划，该计划将打造一个端到端的主驱逆变器生产基地。

安森美的Treo平台基于65纳米节点的BCD工艺技术，不仅支持同行业领先的1-90V宽电压范围和高达175°C的工作温度，还将帮助客户简化设计流程，降低系统成本，并加快在汽车、医疗、工业、AI数据中心等领域解决方案的上市速度。

伍尔特电子的无源元件数据库已集成到安森美独特的 PLECS® 模型自助生成工具 (SSPMG) 中。SSPMG 是基于 Web 的平台，界面直观、简单易用，能够帮助工程师针对复杂的电力电子应用定制高精度、高保真 PLECS 模型，从而尽早发现和修复设计过程中的性能瓶颈。而伍尔特电子的无源系统元件的集成，进一步提高了 SSPMG 中开关损耗模型的精度。

安森美宣布已与Qorvo达成协议，以1.15亿美元现金收购其碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET) 技术业务及其子公司United Silicon Carbide。该收购将补足安森美广泛的EliteSiC电源产品组合，使其能应对人工智能（AI）数据中心电源AC-DC段对高能效和高功率密度的需求，还将加速安森美在电动汽车断路器和固态断路器(SSCB)等新兴市场的部署。

安森美和一级汽车供应商（tier-one）株式会社电装（DENSO CORPORATION，简称“电装”）宣布加强在自动驾驶（AD）和先进驾驶辅助系统（ADAS）技术方面的长期合作关系。