国芯网[原:中国半导体论坛] 振兴国产半导体产业！
不拘中国、放眼世界！关注世界半导体论坛↓↓↓
1月6日消息，据报道，三星DS部门存储业务部最近完成了HBM4内存的逻辑芯片设计。Foundry业务部方面也已经根据该设计，采用4nm试产。
HBM，即高带宽存储器，凭借其卓越的性能，在高性能计算（HPC）、人工智能（AI）以及图形处理（GPU）等前沿领域发挥着举足轻重的作用。
据知情人士透露，运行时发热一直是制约HBM发展的主要障碍，而在整个堆栈结构中，逻辑芯片更是发热的“重灾区”。因此，采用先进的制程技术对于提升HBM4的能效与性能表现至关重要。
在制造方面，三星不仅利用自家4nm技术制造逻辑芯片，还引入了10nm制程来生产DRAM，以打造更为出色的HBM4产品。
从行业数据来看，HBM4标准支持高达2048位的接口和6.4GT/s的数据传输速率。与HBM3E相比，HBM4的单个堆栈带宽已飙升至1.6TB/s，这一显著的提升使得内存系统的数据吞吐能力大幅增强，从而能够更有效地满足人工智能、深度学习、大数据处理以及高性能计算等领域对内存性能的严苛要求。
目前，三星的HBM4开发工作正稳步推进，预计将于2025年下半年正式投入量产。
***************END***************
半导体公众号推荐
加群步骤：
第一步：扫描下方二维码，关注国芯网微信公众号。
第二步：在公众号里面回复“加群”，按照提示操作即可。
爆料｜投稿｜合作｜社群
文章内容整理自网络，如有侵权请联系沟通
投稿或商务合作请联系iccountry
有偿新闻爆料请添加微信
iccountry
