英飞凌无锡基地：
或生产第三代半导体器件
1月3日，据“无锡要闻”消息，无锡高新区（新吴区）举行了2025年一季度重大项目现场推进会，其中包括英飞凌功率半导体器件项目。
据介绍，英飞凌功率半导体器件项目引进暨无锡生产基地扩产项目总投资15.5亿元，目前正在加紧建设，该项目将引进英飞凌全球最新的第三代功率半导体器件产品在锡生产并不断扩大现有生产基地规模，打造国内最具规模、国际技术一流的先进功率半导体器件生产基地。
三安意法半导体：
8吋SiC项目2月底投产
2024年12月30日，据“西永微电园”官微消息，安意法半导体8英寸碳化硅外延、芯片项目跑出建设“加速度”，预计将于下个月实现通线生产。
据安意法半导体副总经理李志勇介绍，整个建设过程历时14个月，已经达到了点亮的条件。以目前的推进速度，2025年2月底可以实现通线投片生产，有望在三季度末开始批量进行生产。
据“行家说三代半”此前报道，2023年6月，三安光电与意法半导体宣布将在中国重庆建立一个新的8英寸碳化硅器件合资制造厂。同时，三安光电将利用自有SiC衬底工艺，单独建造和运营一个新的8英寸SiC衬底制造厂，以满足该合资厂的衬底需求。其中，该衬底工厂也于2024年8月底点亮通线。
2大项目均位于重庆高新区西永微电子产业园，总规划投资约300亿元人民币，项目达产后将建成一条8吋碳化硅衬底和晶圆制造线，具备年产48万片8吋碳化硅衬底、车规级MOSFET功率芯片的制造能力。
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晶升装备：
SiC设备项目竣工验收
1月2日，据“栖霞视点”官微消息，由南京晶升装备股份有限公司投资建设的“晶升能源设备生产基地项目”日前已取得竣工验收备案证。
技改部分，晶升装备租赁了红枫科技园B4栋一层的厂房以及液晶谷1栋车间，用于建设研发和生产基地，总建筑面积约为8000平方米。
项目完成后，将专注于半导体硅NPS晶体单晶炉和6-8英寸碳化硅单晶炉等产品的研发与生产，预计每年能生产各类半导体长晶设备300台。
晶升装备成立于2012年2月，在园区自主培育下于2023年4月登陆科创板，是专业从事8-12英寸半导体级单晶硅炉、6-8英寸碳化硅、砷化镓等半导体材料长晶设备及工艺开发的国家高新技术企业。
肯博利：
精密工具二期项目开工
2024年12月31日，据天津北方网消息，日前，天津经开区现代产业区总投资超过10亿元的5个重点项目全面开工建设，陆续进入打桩阶段，其中包含一个SiC耗材相关项目：
该项目由天津肯博利精密工具有限公司投资建设，项目分两期建设，总投资9000万元。其中，二期项目投资额约4000万元，将建设国内领先的精密工具生产线，生产LED蓝宝石衬底减薄砂轮、碳化硅及硅晶圆减薄砂轮、3D打印空间点阵锯片等产品，可用于光伏、半导体等领域。
资料显示，天津肯博利精密工具有限公司于2020年底在天津经开区注册成立，该公司研制的用于第三代半导体材料碳化硅的加工砂轮，测试性能可达日本原厂水平。
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