应用指南导读|优化HVCoolGaN™功率晶体管的PCB布局

原创 英飞凌工业半导体 2025-01-03 17:29

作为宽禁带半导体,氮化镓(GaN)以其前所未有的速度、效率和可靠性迅速成为现代功率电子领域的新宠。然而,GaN器件的高速开关行为也对PCB布局设计提出了巨大挑战。因此想要充分发挥GaN的潜力,我们必须理解和管理PCB布局产生的寄生阻抗,确保电路正常、可靠地运行,并且不会引起不必要的电磁干扰(EMI)。


《优化HV CoolGaN™功率晶体管的PCB布局》应用指南,主要讨论了在使用高压氮化镓(GaN)功率晶体管时,如何通过优化PCB布局来提升整体电气性能和热性能。以下是文件的核心内容提炼:


1

 引言 

  • 高压氮化镓(HV CoolGaN™)晶体管:快速开关能力给PCB布局带来挑战。

  • PCB布局优化目标:确保电路正确、可靠运行,避免电磁干扰(EMI)。

  • 关键概念:理解寄生阻抗、电流流动路径的重要性。

2

实际问题

  • 寄生元件:包括寄生电阻、寄生电容和寄生电感,可导致电路故障、EMI、振荡等问题。

  • 快速开关问题:GaN晶体管的快速开关导致高峰值电流和dv/dt、di/dt值,增加布局挑战。

3

半桥拓扑

  • 半桥拓扑应用:电力电子领域广泛应用,适合GaN晶体管。

  • 强制函数概念:电流被视为强制函数,电压变化是电流变化的效应。

4

互感和部分电感

  • 电感概念:包括总电感、部分电感和互感,互感可正可负,影响总电感。

  • 布局影响:PCB布局中的电流路径和返回路径的几何关系决定互感大小。

5

封装电感

  • 封装电感值:直插式封装电感相对固定,表面贴装封装电感取决于布局。

  • 优化布局:通过优化电流返回路径降低封装电感。

6

顶部散热式晶体管封装

  • 优点:无需热通孔,降低成本,允许独立优化电气布局。

  • 热界面材料:用于连接散热器和晶体管,提供热路径。

7

功率回路布局选项

  • 不同布局比较:包括TO-247封装、表面贴装TOLL布局等。

  • 过电压评估:通过估算不同布局下的过电压,选择合适的布局。

8

栅极驱动布局

  • 栅极驱动回路:低阻抗设计,避免振铃、过冲等问题。

  • 布局挑战:优化栅极驱动布局与电源回路布局之间的权衡。

9

驱动法拉第屏蔽

  • 屏蔽作用:减轻栅极驱动电路与总线接地平面之间的共模电容影响。

  • 实施方法:在PCB背面添加地平面,隔离栅极驱动电路与总线接地电容。

10

主要建议摘要

  • 考虑电流流动路径:包括寄生元件和返回路径。

  • 优化布局电感:利用薄电介质PCB层,减少布局电感。

  • 封装与散热:选择顶部冷却封装,优化电气和热路径。

  • 栅极驱动布局:使用平面作为返回路径,避免电容电流干扰。

  • 保持开关节点紧凑:降低电容和辐射。



文件最后提供了参考文献和修订记录,并强调了使用文件内容时的注意事项和免责声明。整体而言,该文件为使用HV CoolGaN™功率晶体管的工程师提供了详细的PCB布局优化指南,旨在帮助他们实现最佳的整体电气性能和热性能。



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