富士电机：
6吋SiC项目开始生产
12月29日，据日媒报道，富士电机在日本青森县的半导体制造基地正式开启了6英寸SiC功率半导体的量产工作。
富士电机表示，这些SiC产品目前主要面向日本的汽车制造商，尽管量产计划因全球电动汽车销售下滑导致的需求减少而有所推迟，但富士电机依然坚持推进这一项目。
据“行家说三代半”此前报道，2022年1月，富士电机对其子公司津轻半导体株式会社投资超38亿元人民币，以此来增加青森县基地的碳化硅功率半导体产量，并计划于2024财年开始量产。
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8吋SiC项目预计Q1封顶
12月28日，据“厦视新闻”消息，士兰微子公司士兰集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目正在加速推进。
据士兰集宏相关负责人介绍，项目一期项目主要建设主厂房、动力中心、测试中心及配套设施，总建筑面积18.7万平方米，目前正在进行上部结构施工，预计将在2025年一季度封顶，四季度末初步通线，2026年一季度进行试生产。
据“行家说三代半”此前报道，2024年5月，士兰微与厦门市人民政府、厦门市海沧区人民政府等多方签署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目战略合作框架协议》及《投资合作协议》，宣布合资在厦门市海沧区建立一条以SiC-MOSFET为主要产品的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线。
该项目分两期建设，总投资规模约120亿元，两期建设完成后，将在厦门市海沧区形成8英寸碳化硅功率器件芯片年产72万片的生产能力。
威海银创：
SiC芯片即将交付
12月27日，据“中国网”消息，日前，威海银创微电子技术有限公司旗下封测产线正在有条不紊地运作中，SiC芯片产品即将交付客户。
威海银创销售总监占二龙透露，公司已推出1700伏碳化硅芯片新品，随着新能源汽车、移动设备等市场快速发展，碳化硅器件和模组需求也高速增长，带动了威海银创的碳化硅芯片技术和销量逐渐提升
据介绍，威海银创是威海首家本土半导体封装测试企业，以IGBT模块、MOSFET的设计、研发、封装、测试和销售为主营业务，目前该公司已与100多家厂商达成合作，产品被广泛应用于智能电网、新能源装备、消费类电子等众多领域。
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