安森美更节省能源的新型、高效电机架构与解决方案

艾睿电子技术和方案 2025-01-02 12:00

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电机的应用相当广泛,可用于各种小型家用电器、工业制造和重型应用等,电机的多功能性使它们几乎可以用于各种用途。不过,由于电机所消耗的电力约占全球电力消耗的一半,且仍在呈不断上升的趋势。如今随着减少碳排放的要求力度不断加大,因此,通过实施新颖的控制算法、利用新型的、更高效的电机架构,以及结合现代半导体技术来提高效率变得越来越重要。本文将为您介绍电机的应用与市场,以及由安森美(onsemi)推出的相关解决方案。


变频驱动器具有更优的

电机驱动效率


电机的应用范围从小型应用到重型应用,尤其是在工业应用中,工业电机驱动可说是当代全球工业的支柱,电机所消耗的电力几乎占所有工业应用中消耗的能源的三分之二。工业驱动可应用于众多任务业领域,包括流程自动化、风扇控制、液体和气体泵、机器人、物料搬运、机床、石油和天然气工业等。随着法规变得越来越严格,工业驱动追求大幅节能的必要性,变得越来越重要。其中的交流电机通常可以直接由交流电源驱动。然而,为了提高效率和卓越的控制,需要实施变频驱动(VFD)。

     

其中,使用变频驱动器(VFD)的工业驱动系统,比使用传统气阀控制的系统更高效。此外,在子系统中还需要使用的其他组件和技术,包括栅极驱动器、运算放大器、位置传感器、温度传感器,以及其他用于控制和传感的组件和技术,并通过使用现代半导体和新颖的电机架构,提高了电机驱动器的效率和使用寿命。


目前市面上三种最流行的电机类型是交流感应电机(ACIM)、永磁同步电机(PMSM)和无刷直流(BLDC)电机。另一方面,步进电机和伺服系统可用于精确定位和受控运动,广泛用于需要固定和定位的应用中。它们可用于为机器人手臂、装配线、升降辅助设备和其他类似应用提供动力,这些控制系统的特点是高精度和高重复性。     


高效率的单相和三相交流

电机解决方案


以安森美推荐的单相和三相交流电机解决方案为例,其电机驱动架构中的电网供电电机控制电路的总体架构由整流器、电源、传感、控制硬件和功率级等组成。整流器级负责将交流电(AC)转换为直流电(DC),这可以使用简单的二极管电桥来实现,但为了提高系统的效率和功率因数(从而降低无功功率),可以使用功率因数校正级。可选的DC-DC级用于将直流电压转换为电机所需的电压。辅助电源将交流输入或直流总线转换为不同的低电压,以供应控制硬件(MCU、存储器、接口等)以及栅极驱动器。  

   

制动电路用于在减速期间耗散能量,当电机与电源断开时,它开始充当发电机。动态制动利用与功率开关(通常是IGBT)串联的制动电阻来消耗电机的功率。逆变器由将功率传输到电机的功率开关组成,根据功率级别,它们可以是Si MOSFET、IGBT或碳化硅(SiC)MOSFET。它们可以是分立的,采用电源模块或具有集成栅极驱动器的模块形式。 


为了进行精确的电子换向,需要确定转子的位置。传统上,这是通过利用霍尔传感器来实现的。更新颖的解决方案使用光学或电感传感器,而一些解决方案则跳过传感器并测量反电动势。当需要知道转子的准确位置时,NCS32100等电感式位置传感器在启动期间特别有用。位置有可能在停机期间发生改变,因此系统无法依赖最后的已知状态。 


安森美的NCS32100电感式传感器可用于计算位置和速度,其采用绝对编码器,无需移动即可确定其位置,支持6,000 RPM全精度(45,000最大RPM),以及±50角秒(0.0138度)或38毫米传感器的更高精度,并可以区分并抑制旋转运动产生的振动,集成CortexM0+ MCU,具有高度可配置性,是适用于各种光学编码器的更便宜替代品。     


可提高电源转换效率

的完整产品线


功率因数校正(PFC)级是一个AC/DC转换器,其目标是调整输入电流以匹配输入电压的形状,这减少了谐波并提高了效率。安森美的功率因数控制器NCP1681是一款无桥图腾(Totem)多模式PFC控制器,具有恒定导通时间CrM和谷值开关频率折返的固定频率CCM(恒定导通模式),以及专有的电流检测方案、专有的谷感方案,拥有高功率的理想选择,支持高达1kW的多模式应用,CCM >2.5kW,采用SOIC-20封装。 


安森美还推出多款逆变开关及解决方案,电机控制系统可以使用分立组件(IGBT、Si MOSFET、SiC MOSFET、二极管、栅极驱动器等)或集成多个部件的功率模块来设计。这些模块可以在一个封装中集成三相半桥、单半桥,甚至包括制动器、PFC或栅极驱动器。功率模块可分为功率集成模块(PIM)和智能功率模块(IPM),与分立解决方案相比,模块的使用具有许多优势,由于模块集成了电源组件以及保护功能(例如UVLO、短路保护、热传感等),因此它们减少了所需的空间,并且由于经过全面测试而更加可靠。    

 

IGBT是高压应用的最佳选择,因为与Si MOSFET 相比,它们在同等材料厚度下可提供更高的阻断电压,IGBT开关是具有成本效益的主流解决方案。安森美新系列的1200 V Trench Field Stop VII IGBT,适用于电机控制应用的低VCE(SAT)类型,增加可处理的功率并减少因热量产生的功率损耗,从而改善冷却,改进了高频操作的寄生电容,坚固耐用,1200V Gen7二极管可实现低VF和柔软度,较低的压降可降低传导损耗,柔软度是指二极管的反向恢复,反向恢复越软,噪声和电磁干扰(EMI)问题就越少。 


另一款IGBT FGY100T120RWD是FS7系列的1200V、100A IGBT,集成了Gen7二极管,VCE(SAT) = 1.4V,Tjmax = 175℃,支持正温度系数,易于并联运行,具有低传导损耗和优化的电机控制应用开关。 


SiC MOSFET则可为需要高电压和高频的应用提供最佳性能,具有较高的电子迁移率、较低的本征载流子浓度和较高的导热率。安森美的EliteSiC MOSFET的击穿电压范围为650V至1700V,由于采用特殊的平面设计,所有EliteSiC SiC MOSFET系列在整个生命周期内都不会出现RDS(ON)、VTH或二极管正向电压漂移。 


安森美的SiC MOSFET NTH4L014N120M3P是一款来自新型1200V M3P系列的EliteSiC MOSFET,ID = 152 A,采用TO-247-4L封装,具有低开关损耗,典型的EON为1308 µJ(74 A、800 V),RDS(ON)=14 mΩ @VGS=18 V,超低栅极电荷为(QG(TOT))=137 nC,具有高速开关、低电容(COSS=146 pF)的特性。 

   

另一款SiC MOSFET NTH4L023N065M3S是来自新型650V M3S系列的EliteSiC MOSFET,可改善开关损耗,并针对高温操作进行了优化,RDS(ON)=22.6 mΩ @VGS=18 V,与超低栅极电荷(QG(TOT))=87 nC,具有高速开关、低电容(COSS=153 pF)的特性,采用TO-247-4L封装。


高度集成的智能功率模块

与功率集成模块


智能功率模块(IPM)是目前集成度最高的功率开关,该开关可以是IGBT或Si MOSFET。它是电机控制应用的热门选择,因为它能够在单个封装中包含整个逆变器和PFC级,其他优点包括EMI改进、空间优化和更简单的热设计。 


安森美的智能功率模块NFCS1060L3TT是一款将PFC和逆变器完全集成在一个封装中的产品,包括PFC SJ MOSFET、六个驱动IGBT,支持600V、10A,内置过流和跨导保护,内置自举二极管和NTC,可减小PFC电感器尺寸,简化的散热器设计,降低电磁干扰。 


另一款智能功率模块NFAM3065L4B可用于ACIM/BLDC/PMSM的高性能输出级,集成高侧和低侧栅极驱动器、六个IGBT,支持650V、30A,内置过流和低电压保护、热监控和温度传感器,可降低EMI和损耗。 


安森美还提供采用SiC MOSFET和IGBT技术的功率集成模块(PIM),它们可以改进设计,并且可以在高达1200V的电压下使用,由于其高电压、高电流能力和较低的成本,IGBT器件仍然是主要选择,SiC器件则可提供最佳性能和功率密度,并且正在迅速得到采用。PIM可以在一个封装中包含半桥、全桥甚至整个三相逆变器,使用模块大大减少了设计时间、冷却尺寸并提高了整体集成度。 


安森美的NXH800H120L7QDSG是一款额定电压为1200V、800A的IGBT半桥功率模块,采用PIM11(QD3)封装,及全新Field Stop Trench 7 IGBT技术和Gen. 7二极管,可提供更低的传导损耗和开关损耗,使设计人员能够实现高效率和卓越的可靠性,包含NTC热敏电阻与低电感布局。    

 

NXH006P120M3F2PTHG则是一款采用F2封装的1200V SiC半桥模块,采用M3 EliteSiC技术在VGS=18V、ID = 100A时提供典型RDS(ON) = 6 mΩ,包含热敏电阻,采用HPD直接键合铜基板。 


安森美还推出由PLECS®提供支持的Elite电力模拟器,PLECS是一款系统级模拟器,可通过优化的器件模型促进完整系统的建模和仿真,以实现最大速度和精度。此外,安森美还提供业界首款自助式PLECS模型生成器,允许用户创建可在Elite电力模拟器中使用的自定义模型。PLECS还提供一系列适用于工业电机控制的逆变器拓扑,包括半桥、全桥和三相逆变器。 


另一方面,MOSFET和IGBT必须由栅极驱动器驱动,因为MCU或控制器无法直接驱动它们。栅极驱动器可以是单个半桥,驱动一个高侧和一个低侧开关,也可以包含三个半桥栅极驱动器,控制所有三个电机相位。安森美产品组合中的许多栅极驱动器支持外部负偏压,其中使用外部电路为栅极驱动器提供负偏压。新型NCP51752系列具有内部负偏压,可节省系统成本,因为系统无需向栅极驱动器提供负偏压轨。安森美还推出一系列的EliteSiC MOSFET产品组合和相应的隔离式栅极驱动器,可满足客户多方面的需求。 


结语


随着全球对于节能减排需求的提升,新型高效电机架构和解决方案成为了能源转型中的关键环节。这些技术不仅提高了能源使用效率,降低了运营成本,更减少了对环境的影响。同时,通过智能控制、先进材料和创新的设计,这些电机实现了更灵活的运行和更稳定的性能。安森美可提供完整的电机驱动与控制解决方案,将是您开发相关应用的最佳合作伙伴。     



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