深紫外到近红外的高灵敏量子点光电探测器

MEMS 2025-01-01 00:03
近年来,蓬勃发展的光电产业改变了世界,并延伸到生活诸多方面。其中,具有深紫外-可见-近红外全光谱探测响应光电探测器(PD)作为重要的光电元件,在日常生活中发挥着关键作用。通常,商业化的全光谱光电探测器主要基于传统的半导体材料,例如:可见-近红外选择硅(Si)基光电探测器、可见-短波红外采用铟镓砷(InGaAs)基光电探测器。然而,上述光电探测器需要复杂的蒸镀制备工艺,且器件运行暗电流及噪声信号相对较大,使得探测性能有待进一步提高。与此同时,由于传统半导体材料具有较高的光反射系数和较浅的紫外光穿透深度,因此制备得到的光电探测器难以实现对紫外光高灵敏度探测。目前,最为成熟的实现深紫外-可见-红外全光谱光电探测器制备方法主要基于紫外光电探测器与可见-红外光电探测器两者高度集成,然而受限于系统体积、成本及不同类型光电探测器响应能力的差异等问题,阻碍了商业化的进一步应用。因此,探索和开发深紫外-可见-红外高探测灵敏度全光谱光电探测器成为当前领域的研究热点之一。

通过构建异质结策略,利用不同波长响应材料协同作用,拓宽探测范围,抑制器件暗电流,提高探测灵敏度的研究已被广泛报道。但是,上述研究主要以拓宽光电探测器红外响应为目的,对于构筑异质结后两者界面处相互作用、电荷输运关系、器件机械性能及稳定性、异质结层厚度对器件性能的影响等方面缺乏理论及系统的深入探究。此外,利用荧光转换材料吸收深紫外-紫外光后,发射出与光电探测器响应波长一致的可见或红外光子,进而增强器件紫外探测性能的策略备受关注。

据麦姆斯咨询报道,近日,大连民族大学徐文教授和董斌教授团队通过构建CsPbI₃钙钛矿量子点(PQD)与PbS量子点异质结,高效CsPbCI₃:Cr³⁺,Ce³⁺,Yb³⁺,Er³⁺钙钛矿量子点(紫外光转换近红外光)量子剪裁聚光器(如图1),实现深紫外到近红外II区的全光谱(200-1700 nm)高响应灵敏度,优异稳定性的宽带光电探测器。相关研究成果以“Highly DUV to NIR-II responsive broadband quantum dots heterojunction photodetectors by integrating quantum cutting luminescent concentrators”为题发表在国际期刊Light: Science & Applications上。

图1 深紫外到近红外II区的宽带光电探测器

为了在光电探测器中获得高性能和宽带响应,研究人员进行了一系列光学和电气实验。首先,为了提高钙钛矿量子点的性能,选择镧系元素离子 (Ho³⁺) 作为掺杂剂,掺入通过改进的热注射法制备的CsPbI钙钛矿量子点,相关测试结果如图2所示。接着,研究人员通过与PbS量子点结合对 CsPbI:Ho³⁺钙钛矿量子点异质结进行了光学和电学分析,相关结果如图3所示。随后,研究人员通过密度泛函理论(DFT)计算了CsPbIHo³⁺钙钛矿量子点和PbS量子点之间的结构和光物理相互作用,相关结果如图4所示。

图2 Ho³⁺掺杂的CsPbI钙钛矿量子点

图3 CsPbIHo³⁺-PbS量子点异质结的光电特性

图4 CsPbIHo³⁺- PbS量子点异质结的DFT计算

最后,研究人员对该深紫外-可见-近红外II区全光谱宽带响应光电探测器的性能进行检测,并基于其出色的探测性能,进一步探索了该宽带光电探测器的成像应用,相关结果如图5所示。

图5 光电探测器的性能及应用

综上所述,为了实现高效、稳定的深紫外-可见-近红外II区全光谱宽带响应光电探测器,这项研究主要通过以下三方面进行研究:1、通过稀土钬离子(Ho³⁺)掺杂CsPbI₃钙钛矿量子点来提高可见光区域响应性能和器件稳定性(400-700 nm);2、通过具有近红外吸收PbS量子点与可见光层复合实现可见-近红外II区波长响应(400-1700 nm);3、通过稀土离子(Ce³⁺,Yb³⁺,Er³⁺)掺杂CsPbCI₃:Cr³⁺钙钛矿量子点,实现高效的近红外(900-1700 nm)量子剪裁发射,其荧光量子效率为179%。进一步将其构建为荧光聚光器(LC)应用于器件外层,实现高性能的紫外波长响应 (200-400 nm)。最终,制备得到光电探测器实现了200-1700 nm全光谱响应,同时其整体器件探测性能超过10¹² Jones,且具有较好的运行稳定性。

论文链接:

https://doi.org/10.1038/s41377-024-01604-0

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