韩国两大半导体巨头三星电子和SK海力士在极紫外（EUV）光刻技术上采取了不同的策略，引起了业界的高度关注。这一发展正值两家公司都致力于增强其在高度动态和竞争激烈的半导体市场中的竞争力之际。
作为年终组织重组的一部分，三星电子在全球制造和基础设施总部下成立了一个新的工作组（TF）团队，名为“EUV Synergy TF”。此举被视为提高超精细半导体制造（例如 3 纳米 代工厂）良率的努力。EUV Synergy TF 的任务是监督 EUV 设备管理，重点是提高光刻和跟踪设备的生产率。该团队的目标是最大限度地提高EUV光刻设备中使用的各种材料和组件的生产率，其中包括ASML独家供应的价值200亿美元的光刻机和东京电子的EUV轨道设备。
三星对 EUV 技术的承诺体现在其对 EUV 光刻机的大量投资。该公司已在其华城和平泽工厂购买了 30 多台 EUV 光刻机。EUV 光刻使用 13.5 nm 波长的光将半导体电路印刷到晶圆上，对于生产更小、更复杂的半导体电路至关重要。三星于 2019 年将 EUV 引入其代工工艺，此后在提高其 10 纳米级第六代 DRAM 和低于 3 纳米代工厂的良率方面面临挑战。
三星电子计划于2024年底至2025年初期间，在其华城园区安装首台来自ASML的High-NA EUV（极紫外光刻）光刻机。此举标志着三星在先进半导体制造技术领域的又一重大突破，旨在开发用于逻辑和DRAM的下一代制造技术。随着High-NA EUV光刻技术的引入，三星有望在提升芯片生产效率、降低生产成本的同时，进一步巩固其在全球半导体市场的领先地位。
为了充分利用High NA EUV技术，三星已与日本Lasertec公司展开合作，共同开发专门用于High-NA光掩膜的检测设备。此外，三星还与光刻胶制造商JSR和蚀刻机制造商东京电子公司紧密合作，为2027年前将High-NA EUV工具投入商业应用做足准备。这种全方位的合作策略，旨在构建一个强大的生态系统，以确保技术的有效转化和应用。
据悉，ASML目前只生产了8台Twinscan EXE:5000，其中英特尔购买了第一台，并且订购了多台。因此，有人猜测三星可能已经获得ASML第8台Twinscan EXE:5000。
值得注意的是，High-NA EUV设备的安装要求很复杂，因为它处理的是13.5nm波长的EUV光。ASML 表示，这台光刻机重量高达 150 吨，相当于两架空中客车 A320 客机，全套系统需要 43 个货运集装箱内的 250 个货箱来装运，一开始预计需要 250 名工程人员、历时 6 个月才能完成安装。因此，即使三星在2024年底前获得High-NA EUV设备，完成安装和校准也需要很长时间。它可能要到2025年上半年才能全面投入晶圆生产。
因此，三星的首款High-NA EUV光刻机将比英特尔晚一年左右投入使用，但仍将领先于竞争对手台积电和SK海力士。三星何时采用High-NA EUV进行量产还有待观察。
三星电子半导体研究所的 Min Cheol-ki 博士在 2024 年光刻与图案化研讨会上表示：“与传统的 ‘EUV 专用工具’ 相比，使用 ‘High-NA EUV 专用工具’检测半导体掩膜可将对比度提高 30% 以上。”
相比之下，SK海力士则采取了不同的做法。该公司在今年的组织重组中解散了EUV TF，并将其并入未来技术研究院。此举凸显了 SK 海力士对长期技术进步的关注，而不是眼前产量的提高。SK 海力士于 2021 年开始将 EUV 应用于其 10 纳米级第四代 DRAM，目前在利川的 M16 工厂运营着 10 多台 EUV 机器。
未来，SK海力士未来技术研究所预计将重点准备推出下一代 EUV 光刻设备，即高数值孔径机器。SK海力士预计最早将于明年下半年收到第一台High-NA光刻机。这一战略转变凸显了 SK 海力士致力于保持技术领先地位并为半导体制造的未来进步做好准备。
三星旨在通过先进技术全面领先，在逻辑芯片和存储芯片等多个领域都追求极致的技术突破和市场份额，High-NA EUV 光刻机有助于其实现这一目标。SK 海力士则更专注于存储芯片领域，引进高端 EUV 设备是为了在存储芯片市场保持竞争力。
三星在全球半导体市场面临着来自台积电、英特尔等多方面的竞争，需要不断通过技术创新来巩固其地位。SK 海力士在存储芯片领域也面临竞争，但竞争格局和压力点与三星在整体半导体市场的情况有所不同，所以采取了更具针对性的策略。
编译：半导体产业纵横
· END ·
扫码添加小助手回复“进群”
和电子工程师们面对面交流经验
