这家SiC企业取消扩产计划

根据Global Info Research项目团队最新调研，预计2030年全球CAN-Bus总线电缆产值达到2287百万美元，2024-2030年期间年复合增长率CAGR为3.6%。一、行业概述CAN-Bus总线电缆是一种专门用于CAN总线（Controller Area Network，控制器局域网络）通信系统中的电缆。CAN总线是一种广泛应用于汽车、工业自动化、机器人等领域的串行通信协议，主要用于微控制器和设备之间的数据交换。CAN-Bus电缆负责在多个设备间传输数据，保证信息的稳定传输和

感光百科：4000万片出货量背后的“技术经”目前，仅单点dToF，艾迈斯欧司朗的累积出货量就已超过了4000万片。大量采用的背后必然代表无数用户对这一技术的认可和信赖。究竟是什么魔力，让dToF传感器拥有如此强大的吸引力？又是怎样的know-how积累让艾迈斯欧司朗的dToF产品如此受到青睐？让我们再次回到底层原理来探究dToF 4000万片出货量背后的“技术经”。01、底层原理决定应用上限dToF传感器，顾名思义，直接飞行时间测量，基于光速不变，测量光子从发射端到接收端的光程差，从而直接计算二

在当今数字化时代，嵌入式系统无处不在，从我们手中的智能手机、智能手表，到汽车中的电子控制系统、工业自动化设备，嵌入式开发技术的发展历程宛如一部波澜壮阔的科技史诗，深刻地改变了我们的生活和社会的运作方式。萌芽阶段（20 世纪 60 - 70 年代）嵌入式开发的起源可以追溯到 20 世纪 60 年代。当时，计算机技术刚刚兴起，体积庞大且价格昂贵。为了满足特定设备的控制需求，工程师们开始尝试将计算机技术应用于一些专用系统中。这一时期，嵌入式系统的概念逐渐萌芽。1965 年，美国数字设备公司（DEC）推

        在之前的文章中，我们介绍了IEEE 802.3cz[1]协议，MultiGABSE-AU物理层中XMII、PCS子层以及两个可选功能的相关内容，本篇将介绍MultiGABSE-AU物理层PMA子层及PMD子层的相关机制。PMA子层        PMA子层位于PCS子层和PMD子层之间，规范中定义了PMA子层的三个功能：PMA Transmit、PMA Receive及PHY Control。&nbs

2024年之前国际国内大品牌芯片，是电子产品生产主流供应产品，国际和国内大品牌电子芯片，产品质量有保证，质量过硬，芯片各项参数满足电子产品需求，但价格高，交货慢，工厂接了急单，国内外大品牌产品短期内交不出来，交出芯片，价格太高。目前来看，以美国为首国外势力，对我们国家一些高端芯片，不出货，不卖给我们，我们要生产电器产品，一定要自己研发芯片，替代进口芯片，低价格芯片替代高价格芯片。国外买家对电子产品，价格压的太低，用国内外知名品牌电子芯片，那电子产品成本高过了卖价，工厂没有利润，工厂无法生存，芯片

很荣幸收到富芮坤 FR3068x-C低功耗开发板，参加测评。断断续续看了一些资料，今天有时间把开发环境初步搭建好了，能下载程序了。记录一下，给大家分享一下。1、找不到ARMCM33_DSP_FP。安装Keil。我之前安装的Keil版本低，下载了重新安装了5.41，安装完成后，在工程配置页面的Device页面没有找到官方说的ARMCM33_DSP_FP,下图为官方文档内的截图，没有关系，注意右边涂黄色部分，Pack 的信息。打开keil的Pack Installer，找到ARM::CMSIS，找到

时源芯微EMC（电磁兼容）领域，充斥着众多专业术语，令人眼花缭乱。1 电磁兼容（EMC）定义：指电气装置或系统在共同的电磁环境条件下，既能保持正常功能，又不会对周围环境产生不良影响。2  电磁环境Electromagnetic Environment定义：指存在于某一特定场所的所有电磁现象的总和。3半电波暗室Semi-anechoic Chamber定义：一种屏蔽室，除地面安装反射接地平板外，其余内表面均覆盖有吸波材料。4 远场Far Field定义：在天线辐射的场域中，功率密度与距离

近日，紫光展锐正式推出高性能4G 智能穿戴平台W377E。该产品面向不同的应用场景，拥有丰富特性和超低功耗，进一步壮大紫光展锐的智能穿戴产品组合。紫光展锐面向中高端和海量的智能穿戴市场，持续提供技术先进、高效安全、高质可靠的解决方案。 紫光展锐W377E采用四核A53架构，支持13M摄像头，video 1080P 30fps，集成了Wi-Fi、蓝牙和GPS功能。W377E搭载Android 8.1系统，提供更加丰富多样的APP体验，支持在线好友聊天、支付宝等功能，且支持64位系统的AP

本文介绍Linux系统查看硬件配置及常用调试命令，方便开发者快速了解开发板硬件信息及进行相关调试。触觉智能RK3562开发板演示，搭载4核A53处理器，主频高达2.0GHz；内置独立1Tops算力NPU，可应用于物联网网关、平板电脑、智能家居、教育电子、工业显示与控制等行业。查看DDR获取内存信息下面数字以MB为单位。root@ido:/# free -mtotalused free shared buff/cache availableMem:

产品概述MG600Q2YMS3 是一款基于硅基碳化物（SiC）技术的高功率N沟道MOSFET模块，适用于高功率开关和电机控制应用，如轨道牵引系统。其设计旨在满足高效能和快速切换需求，为工业和能源领域提供可靠解决方案。主要特性1. 高电压和电流能力   耐压 (VDSS)：1200 V   漏极电流 (ID)：600 A2. 高效率与低损耗   碳化硅材料降低导通损耗和开关损耗，实现更高的转换效率。3. 快速切换性能 支持高频操作，适用于