【新品介绍】首款新型TPSMB非对称TVS二极管为汽车SiCMOSFET提供卓越的栅极驱动器保护

Littelfuse宣布推出TPSMB非对称TVS二极管系列，这是首款上市的非对称瞬态电压抑制（TVS）二极管，专门用于保护汽车应用中的碳化硅（SiC）MOSFET栅极驱动器。 这一创新产品满足下一代电动汽车（EV）系统对可靠过压保护日益增长的需求，提供一种结构紧凑的单元件解决方案，取代了传统用于栅极驱动器保护的多个齐纳二极管或TVS元件。

TPSMB非对称TVS二极管

TPSMB非对称TVS二极管系列为SiC MOSFET栅极驱动器提供卓越的保护，与传统硅基MOSFET或IGBT相比，SiC MOSFET栅极驱动器的开关速度更快，因此容易发生过压故障。TPSMB系列独特的非对称设计支持SiC MOSFET不同的正负栅极驱动器额定电压，确保在使用SiC MOSFET的各种苛刻汽车电源应用中实现更高性能，这些应用包括：

• 车载充电器（OBC）

• 电动汽车牵引逆变器

• 输入/输出接口

• Vcc 总线

这些应用要求SiC MOSFET栅极驱动器具有高性能过压保护（OVP），以确保最佳性能、寿命和效率。

• 单元件SiC MOSFET栅极驱动器保护：取代多个齐纳或TVS二极管，简化设计并减少元件数量；
• 非对称栅极驱动器电压保护：专为保护SiC MOSFET栅极驱动器而设计，这些驱动器需要不同的负电压和正电压额定值；
• 设计紧凑：该系列产品采用DO-214AA（SMB J-Bend）封装，非常适合空间受限的汽车设计；
• 车规级品质：通过AEC-Q101认证，确保为汽车应用提供最高可靠性；
• 高功率损耗：600W 峰值脉冲功率损耗（10×1000μs 波形）可针对瞬态过压故障提供强大保护；
• 低钳位电压：VC<10V@30A(8/20µs)，可提供最佳负栅极驱动保护；
• 宽频率稳定性：在高达2MHz的宽工作频率范围内具有稳定的电容，是SiC MOSFET应用的理想之选；
• 与主流SiC MOSFET兼容：适用于Littelfuse和其他市场领先的汽车SiC MOSFET。