MOS管最显著的特性是开关特性好，因此被广泛应用在需要电子开关的电路中。MOS管开关电路是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。
下面给大家介绍下平时在工作中经常会用到的一些MOS管驱动电路。
电源IC直接驱动是我们最常用的驱动方式，同时也是最简单的驱动方式。但使用这种驱动方式，需要注意以下几点。
（1）了解电源IC手册的最大驱动峰值电流，因为不同芯片制造工艺不同，驱动能力可能不同。
（2）了解MOS管的寄生电容，寄生电容越小越好。因为寄生电容越大，MOS管导通时要的能量就越大，如果电源IC没有比较大的驱动峰值电流，MOS管导通的速度会受到很大影响。
IC驱动能力、MOS寄生电容大小、MOS管开关速度等因素，都影响驱动电阻阻值的选择。如果驱动能力不足，上升沿可能出现高频振荡，也不能无限减小Rg。
当选择MOS管寄生电容比较大，电源IC内部驱动能力不足时，可以采用推挽驱动。常使用图腾柱电路增加电源IC驱动能力，一般应用在电源IC的驱动能力较弱的电路上。另外，图腾柱电路也有加快关断的作用。
推挽驱动电路通过提升电流提供能力，迅速完成对于栅极输入电容电荷的充电过程。这种拓扑增加了导通所需要的时间，但是减少了关断时间，开关管能快速开通且避免上升沿的高频振荡。
MOS管一般都是慢开快关。在关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压快速泄放，保证开关管能快速关断。
为使栅源极间电容电压的快速泄放，常在驱动电阻上并联一个电阻和一个快恢复二极管，如上图所示，其中D1常用的是快恢复二极管。这使得MOS管的关断时间大大缩短，同时减小关断时的损耗。Rg2在此处的作用是限流，防止把电源IC给烧掉。
比较常见的是用三极管来泄放栅源极间电容电压。如果Q1的发射极没有电阻，当PNP三极管导通时，栅源极间电容短接，达到最短时间内把电荷放完，最大限度减小关断时的交叉损耗。栅源极间电容上的电荷泄放时电流不经过电源IC，提高了电路可靠性。
为了满足高端MOS管的驱动或是满足安全隔离，经常会采用变压器驱动。下图中使用的R1目的是抑制PCB板上寄生的电感与C1形成LC振荡，C1的目的是通过交流，隔开直流，同时也能防止磁芯饱和。
除开以上介绍的几种常见的驱动电路外，还有其他形式的驱动电路，大家可以结合具体情况选择最合适的驱动。
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