五分钟了解产业大事
每日头条芯闻
消息称明年2nm/3nm制程工艺迎激烈竞争
消息称SK海力士加速准备16Hi HBM3E量产，已启动全面生产测试
欧盟或将有条件批准新思科技对Ansys的收购
小米汽车与蔚来开启充电补能网络合作
美光下调10% NAND闪存产能利用率
LG Energy Solution携手高通，打造电动汽车电池管理系统“最强大脑”
消息称三星“洗牌”半导体封装供应链
三部门：鼓励以高端装备为代表的制造业企业建设协同设计平台
韩国拟建政府资助的晶圆代工厂KSMC
机构：2025年HBM出货量将同比增长70%
TrendForce：预计OLED屏幕到2027年在笔记本电脑市场渗透率突破5%
中国信通院预测2030年我国数字经济总量达80万亿元
苹果市值逼近4万亿美元，分析师称AI将推动新iPhone超级周期
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【消息称明年2nm/3nm制程工艺迎激烈竞争】
据外媒报道，2025年半导体行业即将迎来激烈的竞争，各家晶圆代工厂将开始批量生产采用2nm制程工艺的芯片，同时积极降低3nm制程工艺芯片量产成本。
目前，台积电的2nm生产计划已经吸引了众多客户。除了苹果外，台积电据称还获得了大量厂商的密集计算芯片（HPC）及AI芯片订单。这让台积电在2nm制程工艺订单方面领先于英特尔和三星代工厂。
相比之下，三星近年来在4nm、3nm和2nm制程工艺的良率问题上遇到了一些挑战，三星早年试图为高通生产骁龙8 Gen 1芯片时，便因为4nm工艺良率低下导致订单被台积电截胡。
除了台积电和三星外，明年业界晶圆代工厂领域的另一位潜在对手是日本的Rapidus公司。这家企业由日本政府资助，并与美国合作，利用IBM技术生产2nm芯片。但目前有关这家厂商的具体技术细节内幕暂时不得而知。
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【欧盟或将有条件批准新思科技对Ansys的收购】
据路透社报道称，欧盟反垄断执法机构欧盟委员会将有条件批准新思科技对Ansys的收购。
这笔并购规模达350亿美元（当前约合2555.66亿元人民币），如若最终落地将成为自博通以690亿美元收购VMware以来科技界的最大桩交易。
新思科技此前已表示完成对Ansys收购后将出售其光学解决方案集团，同时对欧盟委员会提议分拆Ansys的RTL功耗分析软件PowerArtist部门。
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【美光下调10% NAND闪存产能利用率】
根据美光方面刊发的2025财年第一财季（截至2024年11月28日）财报电话会议文稿，美光高管确认其在闪存市场需求放缓的背景下将其NAND晶圆启动率较此前水平下调10%并减慢制程节点转移。
美光执行副总裁首席财务官Mark Murphy表示：“在NAND，我们正在采取迅速而果断的行动来降低资本支出并削减晶圆产量，以维持供应纪律。”
美光预计，在结束于2025年2月末的第二财季中，其NAND比特出货量将出现显著的环比下降；同时NAND负载不足也将影响本财年第二财季的毛利率。
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【消息称三星“洗牌”半导体封装供应链】
据韩媒报道，三星正计划“洗牌”先进半导体封装供应链，将从根本上重新评估材料、零部件和设备，影响开发到采购各个环节，从而进一步增强技术竞争力。
报道称，三星将优先关注设备，跳出现有合作关系的限制，准备在“性能”优先的原则下，重新选择供应商。据悉，三星甚至考虑退回已采购的设备，重新评估其是否符合新的标准。
三星电子以往采用“联合开发计划”（JDP）与单一供应商合作开发下一代产品。然而，由于半导体技术日益复杂，单一合作模式的局限性日益凸显。因此，三星计划转向“一对多”的JDP模式，即同时与多家供应商合作开发，以寻求更先进的技术和设备，预计该计划最早将于明年实施。
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【韩国拟建政府资助的晶圆代工厂KSMC】
据韩媒报道，尽管三星电子拥有强大的晶圆代工业务，但韩国政府正考虑成立一家名为“韩国半导体制造公司”（KSMC）的政府资助的晶圆代工厂。
该倡议由行业专家和学者提出，旨在解决韩国半导体产业结构性弱点，并增强其在全球半导体市场的竞争力。
据韩国专家预测，对KSMC投资20万亿韩元（当前约合1001亿元人民币），到2045年可带来300万亿韩元（当前约合1.5万亿元人民币）的经济效益。然而，20万亿韩元是否足以建立一家成功的晶圆代工厂，以及KSMC等公立公司能否开发先进的制造技术并获得足够的客户订单以实现盈利，是目前主要的担忧。此外，专家指出，除了半导体制造商，韩国还需要更多的无晶圆厂软件开发商。
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【机构：2025年HBM出货量将同比增长70%】
市调机构TechInsights在报告中指出，存储器市场，包括DRAM和NAND，预计在2025年将实现显著增长，这主要得益于人工智能（AI）及相关技术的加速采用。
TechInsights称，随着AI的兴起，特别是在机器学习和深度学习等数据密集型应用中，对高带宽内存（HBM）的需求空前高涨。预计2025年HBM出货量将同比增长70%，因为数据中心和AI处理器越来越多地依赖这种类型的存储器来处理低延迟的大量数据。HBM需求的激增预计将重塑DRAM市场，制造商将优先生产HBM，而不是传统的DRAM产品。
另外，TechInsights预测，受AI应用激增的推动，2025年内存市场的资本支出（capex）越来越多地流向DRAM，特别是HBM。随着制造商扩大产能以满足日益增长的需求，DRAM资本支出预计将同比增长近20%。然而，这一转变导致对NAND生产的投资极少，可能在市场上造成潜在的供应瓶颈。NAND领域的盈利能力持续改善，这可能会在2026年重新点燃该领域的投资热情。
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