老兵精讲:高精度小微稳压

21ic电子网 2021-01-21 00:00
出品  21ic论坛  captzs

网站:bbs.21ic.com


1、高精度小微稳压(几十~几百mV)

 

下图复合三极管的输出电压U是下管E结导通压降减去C结压降与上管E结压降的并联值,U=Vbea-(Vbca//Vbeb),当Isc<<Isb(Isc是下管的C结漏饱和电流)时则为U=Vbea-Vbeb,将Vd=VtLn(Id/Is)代入得,U=VtLn(Ida/Isa)-VtLn(Idb/Isb)=VtLn[(Ida/Isa)(Isb/Idb)]。下管E结导通电流是从上管E结流下来的Id=Ida=Idb,则前式整理为U=VtLn(Isb/Isa)与导通电流无关,也就与输入电压大小无关;不过下管忽略了Ib=Id/βa产生的VtLn(1+1/βa) 误差。另外当Is电流随温度成倍改变时,(Isb/Isa)的比值保持不变,输出电压U不受温漂效应影响。实现高精度稳压。

 



 

2、温度电压当量的补偿

 

按照以下参数计算的输出电压U=VtLn(Isb/Isa)=VtLn[(1e-6)/(1e-20)]=833.9mV。但是仿真输出电压是816.3mV如左图。计算Ib产生的误差ΔV=VtLn(1+1/50)=0.5mV很小可忽略。误差是如何产生的?Qb的C极悬空,在27℃时C结温度电压当量Vt=26mV 叠加E结的压降,输出电压就相应减少,如果补偿一个26mV的电压抵消Vt,输出电压U与计算值就一致如右图。

 

 

 

3、如果不加补偿电压,Qb的C极短接到B或E极将Vt电压短路消除其影响如右图。

  

 

4、上述电路上管使用PNP管也可以如下图。

 

这里说一说实际电路PN结的正向导通压降,去年初我发过一帖,随机用两个二极管仿真正向导通压降是0.4~0.9V,既然是随机,就不能作为实际二极管的导通压降范围的依据。那么是多少呢?应该按照Vd=VtLn(Id/Is)计算,要强调的是此公式的使用是有默认条件的。如果超出条件,Vd可能是几十mV或者几V。

 

 

5、两个二极管行不行?

 

由于两个二极管导通电流分两路,虽然可以调节在某一温度附近电流一样,但是当温度变化大时,电流改变不一致,稳压精度稍差,而且两个管的Is参数选择也受限制。下图是温度差70℃的比对。电路加以改进可以输入双向信号,限幅输出。三极管要实现双向限压较复杂。

 

 

6、仿真结果供参考:


稳压特性


电路有个“最佳工作点” Vopt,在其右侧(Vin > Vopt) 是稳压区。



电路输出电压与温度有关,温度越高稳压输出电压越大。



电路输出电压与温度呈线性关系。因此这个电路是个优良的温度传感器。

 

由于输出稳压与Is成指数关系,而上下管的Is不一样,当温度大时,Is增加过大的就接近Id,就不呈指数关系,造成误差,这个可以推导计算。避免的办法是,两个Is尽量小,就是你所说的最佳工作点。

 

如果选择上下管的Is一样,精度最好。要注意的是,Is要<<Id。根据Vd=Vt[Ln(Id/Is)+1]可知,当Is=Id,则Vd=Vt,如果温度再上升Is再增大,Ln(Id/Is)变成负值,就全乱套。

 

网友问答:

 

问:用内建电场电位差Vo=VtLn(NaND/n i ²)计算PN结的正向导通电压,其中NaND掺杂浓度制作工艺数据难以得到,这是理论研究用的。不如用PN结伏安特性表达式移项得到导通压降Vd=VtLn(Id/Is),其中反向饱和电流Is参数容易找到。

 

答:当两管的Is参数接近或一样,稳压输出就是几十mV,由于它们的变化一致,所以精度最高。如果您能够实物试验,那就再好不过。我只会仿真。


 

问:我是实物测试的。我的意思是,Vbe才650mV,还要减去一个Vbe,怎么还能得到833mV?哪怕200mV都得不到。我只量到20多mV,并且随输入电压(即输入电流)变化而变化,温度变化也非常大。

 

答:非常难得,您用实物实验,谢谢分享!

 

按照Vbe=650mV估计,你选择的三极管Is参数应该是1e-13A左右,就不知道上边那个三极管的Is是多少?如果用同样型号,输出在二十几mV就对了。如果选择Is=1e-10A三极管,输出应该是150mV左右,电源用几V,输入电阻用1K。


本文系21ic论坛网友captzs原创



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