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两个650V常关型GaN晶体管的导通电阻 (RDS(on))分别是150mΩ和225mΩ,每个晶体管都集成一个优化的栅极驱动器,使GaN晶体管像普通硅器件一样便捷易用。集成了先进的驱动功能和GaN本身固有性能优势,MasterGaN2可进一步提升有源钳位反激式变换器等拓扑电路的高能效、小体积和轻量化优势。
内置保护功能包括高低边欠压锁定(UVLO)、栅极驱动器互锁、专用关闭引脚和过热保护。9mm x 9mm x 1mm GQFN是为高压应用优化的封装,高低压焊盘之间的爬电距离超过2mm。
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