格力电器：
碳化硅芯片工厂建成投产
12月17日晚间，格力电器官方视频号发布相关视频，展示了旗下投资近百亿元建设的全自动第三代半导体（碳化硅）芯片工厂。
据悉，格力电器的碳化硅芯片工厂正式建成并投入生产；格力电器董事长董明珠日前在《珍知酌见》栏目中表示，格力芯片成功了，格力在芯片领域从自主研发、自主设计、自主制造到整个全产业链已经完成。
该项目自2022年12月开始打桩建设，仅用时10个月完成芯片厂房的建设和设备移入，并在388天内实现全面通线。此外，工厂关键核心工艺的国产化设备导入率超过70%，为全自动缺陷检测方案的碳化硅芯片制造工厂。
产能方面，根据珠海市生态环境局在官网于2023年6月披露的“格力电子元器件扩产项目环境影响报告表受理公告”显示，格力电器的第三代半导体芯片工厂项目总用地面积约为20万平方米，施工周期为12个月，将新建3座厂房及其配套建筑设施，其生产厂房1计划安装6英寸SiC芯片生产线，生产厂房2 计划安装6英寸晶圆封装测试生产线，生产厂房3作为二期预留工程。预计项目建成后，将拥有年产24万片的6英寸SiC芯片制造及封装测试能力，原计划于2024年6月量产。
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安意法半导体：
首期产线11月完成点亮
12月17日，三安光电在投资者互动平台表示，湖南三安与意法半导体在重庆设立的合资公司安意法首期产线已于11月完成点亮，预计将于2025年一季度通线后开始流片验证，并逐步释放产能。
据“行家说三代半”此前报道，2023年6月，三安光电与意法半导体宣布将在中国重庆建立一个新的8英寸碳化硅器件合资制造厂。同时，三安光电将利用自有SiC衬底工艺，单独建造和运营一个新的8英寸SiC衬底制造厂，以满足该合资厂的衬底需求。其中，该衬底工厂也于今年8月底点亮通线。
长飞先进：
武汉基地首批设备搬入
12月18日，长飞先进官微宣布，其武汉基地建设再次迎来新进展——项目首批设备搬入仪式于光谷科学岛成功举办。
本次搬入的设备涵盖芯片制造各个环节，包括薄膜淀积、离子注入、光刻、刻蚀等，将为武汉基地构建全链条生产能力、加速通线量产奠定坚实根基。
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