安世半导体在传统TO247-3 封装中推出650V IGBT，该品具备关断损耗及关断过压尖峰优化，并通过严苛的质量考核，能够给运用提供较低的温升及优秀的效率。报名直播了解详情，还能赢【双肩包、京东卡、水杯】。
直播主题
高可靠性IGBT的新选择 —— 安世半导体650V IGBT介绍及其优势
直播时间
12月19日（今天）下午15:00-16:30（14:30入场）
直播介绍
1. 安世半导体IGBT产品系列介绍
2. 安世半导体650V IGBT产品的特点及应用优势
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产品信息
安世半导体在传统TO247-3 封装中推出650V IGBT，其具备关断损耗及关断过压尖峰优化，并通过严苛的质量考核，能够给运用提供较低的温升及优秀的效率。
NGW40T65H3DHP
NGW75T65H3DFP
直播讲师
安世半导体（德国）功率半导体产品总监
从事功率半导体器件（IGBT, SiC MOSFETs）运用需求，产品定义及市场推广工作多年。现任安世半导体（德国）功率半导体产品总监，规划主导IGBT产品路线。
直播好礼
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