公司成立与转型：长飞先进半导体有限公司的前身长飞光纤，成立于1988年。2022年5月，长飞光纤完成了对芜湖启迪半导体有限公司及芜湖太赫兹工程中心有限公司的收购与整合，并更名为安徽长飞先进半导体有限公司，形成了从设计、外延、晶圆制造到模块封测的全产业链能力。
核心团队建设：长飞先进在短时间内引进了近百名拥有半导体国际大厂背景的核心团队成员，这些成员平均拥有15年以上的行业经验，并计划实现由“Foundry”到“IDM+Foundry”的业务转型。
战略发布会：2023年5月，长飞先进举办了首届战略发布会，明确提出“All in SiC-十年黄金赛道”的发展战略，致力于成为世界领先的宽禁带半导体公司。
武汉基地项目：长飞先进在武汉光谷科学岛启动了第三代半导体功率器件研发生产基地项目，计划建设形成年产36万片6英寸碳化硅晶圆及外延、年产6100万个功率器件模块的能力，建设国内最大的SiC功率半导体制造基地。2024年6月18日，武汉基地正式迎来主体结构封顶的关键时刻。
芜湖基地项目：芜湖基地已具有年产6万片SiC MOSFET晶圆制造能力，为芜湖市打造全国第三代半导体产业高地提供了有力支撑。
融资与投资：2023年，长飞先进完成了超38亿元A轮股权融资，创下国内第三代半导体融资规模历史之最，投资方包括光谷金控、浙江国改基金、中平资本等29家投资机构。
技术与产品：长飞先进已形成了从外延生长、器件设计、晶圆制造到模块封测的完整产业链布局，拥有专业的SiC晶圆代工服务体系以及完整的650V-3300V SiC产品矩阵、自主知识产权的1200V Gen3 SiC MOSFET设计及工艺平台。公司15mohm产品比导通电阻 (Ron，sp)已达3.4mQ-mm²，已跻身国际先进水平。
业务转型：2023年7月，长飞先进SiC战略项目(KO) A样品达到预期设计目标，标志着公司拥有车规级SiC MOSFET产品自主研发能力，成功实现从"Foundry"到“IDM”的业务转型。12月，长飞先进首颗自研产品1200V 20A SiCSBD正式进入试产阶段，标志着公司已具备碳化硅产品自主研发及量产能力。
尽管长飞先进在碳化硅业务上取得了显著的项目进展，设备搬入也标志着其发展迈出了坚实的一步，但面对碳化硅产业日益激烈的市场竞争和技术挑战，长飞仍需在技术创新、市场拓展和国际竞争中不断突破，以确保在这条充满挑战的道路上稳健前行。
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