闪存面世40周年:创新与变革之旅

TechSugar 2024-12-18 08:05


1984年12月,在IEEE集成电子器件会议上,桀冈富士雄(Fujio Masuoka)公布了一项将永远改变数据存储领域的突破性技术:闪存。40年后的今天,闪存已成为从智能手机到企业数据中心、嵌入式系统乃至更多领域的不可或缺的组成部分。40年的历程,对于闪存技术来说是一段创新与变革之旅,同时也反映了我们在科技领域所取得的巨大进步。


闪存的诞生


闪存的旅程始于一个简单却强大的想法:一种无需电力即可存储数据的非易失性存储器。这一突破性成果来自桀冈富士雄及其东芝团队,他们开发了一种浮栅存储器技术,该技术通过向一组单元施加电压,能够同时擦除整个存储区块的内容。与传统的需要逐个字节擦除的存储器类型相比,这是革命性的进步。


这种最初被称为NOR闪存的版本,为我们今天所熟知的闪存奠定了基础。三年后,NAND闪存应运而生,它提供了更高的密度和更具成本效益的存储解决方案。有了这些创新,闪存迅速在各种应用中获得了认可,最初是在消费电子领域,随后扩展到了汽车、工业和企业环境。


NOR闪存与NAND闪存


NOR闪存和NAND闪存是两种常见的非易失性存储器类型,它们各有其独特的优势和应用场景。NOR闪存以其快速的随机读取性能和较长的寿命,在需要频繁读取和执行代码的场合中更具优势;而NAND闪存则以其高存储密度、低成本和快速的写入速度,在大容量存储需求中占据主导地位。在选择闪存类型时,应根据具体的应用场景和需求进行综合考虑。


下表将两者在关键参数方面进行了对比:



闪存的影响


如今,闪存已成为我们日常生活中不可或缺的设备驱动力。它不仅是移动技术的坚强后盾,赋予智能手机、平板电脑、笔记本电脑和相机等设备以更快的启动速度、更迅捷的数据访问能力和更可靠的存储性能;其影响力更是远远超出了消费类电子产品的范畴。闪存同样是现代云计算、数据中心、人工智能应用及物联网设备的核心组件,助力各类组织实现海量数据的高效与安全存储及处理。


闪存的非易失性特性,即数据在无电源状态下仍能持久保存,使其成为从U盘到固态硬盘(SSD),乃至关键基础设施中嵌入式系统的理想存储解决方案。


值此闪存技术诞生40周年之际,我们更应深刻认识到,闪存在推动大数据、人工智能、机器学习等前沿技术,以及塑造未来众多技术领域中所扮演的关键角色。


闪存领域热门话题


在闪存技术问世的四十载岁月里,我们目睹了闪存存储解决方案在容量与性能上的巨大飞跃。其中,3D NAND闪存技术的发展尤为引人注目,堪称一项里程碑式的成就。该技术通过垂直堆叠存储单元的方式,在不折损性能的前提下,实现了存储密度的显著提升,这对于固态硬盘(SSD)的演进及其在个人计算、企业存储等多个领域的广泛应用起到了至关重要的作用。


随着存储需求的不断攀升,3D NAND在保持满足现代应用严苛性能要求的同时,成功实现了更高的存储密度。这种堆叠存储单元的能力,为消费级SSD以及要求高耐用性和速度的企业级解决方案开辟了新的发展路径。


尽管其革命性程度或许不及3D NAND,但QLC(四级单元)NAND的崛起同样不容忽视。QLC技术通过每个单元存储四个位的方式,进一步提升了数据密度并降低了每千兆字节的成本。尽管在耐用性方面面临一定挑战,但对于归档、云存储等需要高容量存储但对读写速度要求不高的应用而言,QLC无疑是一项激动人心的创新。


另一个值得关注的里程碑是非易失性存储器高速(NVMe)协议的兴起。该协议在高性能计算环境中充分发挥了NAND闪存的潜力,显著降低了延迟并提高了吞吐量,从而彻底改变了企业管理和访问数据的方式。


最后但同样重要的是,闪存在边缘计算中的应用日益凸显其重要性。随着物联网设备、AI处理技术和5G网络的蓬勃发展,闪存正逐渐成为在数据使用点附近存储数据的标准做法,这不仅提高了实时应用的速度和可靠性,还显著提升了整体性能。


闪存的未来展望:下一步发展及期望


闪存的未来前景光明,一系列激动人心的发展趋势正蓄势待发:


• 3D NAND层数增加:我们目前已经看到了321层NAND技术。近期,也有消息称,三星电子已在其旗下研发机构完成了4XX层第10代3D V-NAND闪存的开发,并已经将该技术转移至量产线上如果情况顺利将于 2025 下半年得到PRA量产就绪许可。但这还远远不够,预计NAND闪存在不久的将来会实现1000+层,这将显著提高存储容量,同时降低成本。


• 安全性提升:随着数据泄露事件日益频发,闪存制造商正在将更先进的加密和安全功能直接集成到硬件中,以保护静态和传输中的数据。预计将有更多的闪存芯片包含基于硬件的安全机制,以更好地抵御网络威胁。


• 光学存储:还有研究正在探索使用光学方式来实现更快、更高效的光学闪存存储形式,这可能会在未来提供无与伦比的存储速度和密度。


• AI优化闪存:随着AI驱动技术的进步,我们可能会看到专门为机器学习和人工智能设计的闪存,为训练模型和处理大型数据集提供更快的数据检索速度。


闪存不仅深刻改变了消费技术领域,更对整个数字生态系统产生了深远的影响。展望未来,闪存与量子计算、区块链等新兴技术的融合,将不断拓展数据存储和处理的可能性,推动技术领域的边界不断延伸。


我们有理由相信,闪存领域的持续创新将继续成为技术进步的关键驱动力。在下一个40年,闪存无疑将继续引领数据存储领域的变革,为我们带来更加智能、高效、安全的数据存储解决方案。


END

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评论
  • You are correct that the length of the via affects its inductance. Not only the length of the via, but also the shape and proximity of the return-current path determines the inductance.   For example, let's work with a four-layer board h
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