今日，全球领先的模拟/混合信号和专业代工厂X-FAB Silicon Foundries SE宣布推出其下一代XbloX平台XSICM03，推进了用于功率MOSFET的硅碳化物（SiC）工艺技术，显著减少了单元间距，使得每片晶圆的芯片数量增加，同时在不牺牲可靠性的情况下改善了导通电阻。
XbloX是X-FAB的精简业务流程和技术平台，旨在加速先进SiC MOSFET技术的开发。它整合了合格的SiC工艺开发模块和平面MOSFET生产的模块，简化了入门流程，并显著降低了设计风险和产品开发时间。通过结合经过验证的工艺模块与健全的设计规则、控制计划和FMEAs（失效模式与影响分析），XbloX使得原型制作更快、设计评估更简单、上市时间更短。这种方法为客户提供了竞争优势，允许设计师创建多样化的产品组合，同时实现比传统开发方法快九个月的生产时间表。这一代新平台在保持健全的工艺控制以及漏电和击穿设备性能的同时，提供了活动区域设计单元尺寸的减小。
在德克萨斯州 X-FAB 制造的 6 英寸碳化硅晶片
XSICM03平台配备了健全的设计规则，允许客户创建单元间距比上一代小25%以上的SiC平面MOSFET。这一改进允许每片晶圆的芯片数量比上一代增加高达30%。利用经过验证的工艺模块，平台确保了卓越的栅氧可靠性和设备稳健性。丰富的PCM库和增强的设计支持允许客户快速完成胶带输出，从而加速产品开发。 X-FAB Texas的CEO Rico Tillner解释说：“凭借其精简的方法，我们的下一代工艺平台满足了汽车、工业和能源应用中对高性能SiC设备日益增长的需求。我们使现有和新客户能够通过加速原型制作和设计评估，创建应用优化的产品组合，显著减少上市时间。”*免责声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，碳化硅芯观察转载仅为了传达观点，仅代表碳化硅芯观察对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系碳化硅芯观察。
