IEDM 2024大会上，台积电首次披露了N2 2nm工艺的关键技术细节和性能指标：对比3nm，晶体管密度增加15％，同等功耗下性能提升15％，同等性能下功耗降低24-35％。
曝料称，台积电N2目前的良率已经达到了60％，而不久前，一位台积电员工对外透露，已成功将N2测试芯片的良率提高了6%，为公司客户“节省了数十亿美元”。
当然，这一数据还有较大提升空间，通常芯片良率需要达到70%或更高才能进入大规模量产阶段。
作为对比，消息称三星的2nm工艺良率目前仅在10%-20%之间。
台积电研发和先进技术副总裁Geoffrey Yeap表示，N2是台积电“四年多的劳动成果”。
台积电2nm首次引入全环绕栅极(GAA)纳米片晶体管，有助于调整通道宽度，平衡性能与能效。
如今的FinFET晶体管的核心有一个垂直的硅片，而全环绕栅极纳米片晶体管有一堆狭窄的硅带。
FinFET只能通过乘以器件中的翅片数量来提供这种多样性，例如具有一个、两个或三个翅片的器件。
但全环绕栅极纳米片为设计人员提供了介于两者之间的渐变选择，例如相当于1.5个翅片或任何可能更适合特定逻辑电路的东西。
新工艺还增加了NanoFlex DTCO(设计技术联合优化)，可以开发面积最小化、能效增强的更矮单元，或者性能最大化的更高单元。
此外还有第三代偶极子集成，同时包括N型、P型，从而支持六个电压阈值电平(6-Vt)，范围200mV。
通过种种改进，N型、P型纳米片晶体管的I/CV速度分别提升了70％、110％。
对比传统的FinFET晶体管，新工艺的纳米片晶体管可以在0.5-0.6V的低电压下，获得显著的能效提升，可以将频率提升大约20％，待机功耗降低大约75％。
SRAM密度也达到了创纪录的新高，每平方毫米约38Mb。
根据最新曝光的资料显示，Intel 18A工艺的SRAM密度约为每平方毫米31.8Mb，显然远不如台积电2nm，落后了超过16％。
同时，2nm的这一密度也比N3 3nm工艺下提高了11%，而N3只比自己的前代提高了6%。
此外，台积电2nm还应用了全新的MOL中段工艺、BEOL后段工艺，电阻降低20％，能效更高。
值得一提的是，第一层金属层(M1)现在只需一步蚀刻(1P1E)、一次EVU曝光即可完成，大大降低了复杂度、光罩数量，提高了整体工艺效率。
优化的M1采用新的1P1E EUV图形，使标准电池电容降低了近10%，并节省了多个EUV掩模。
针对高性能计算应用，台积电2nm还引入了超高性能的SHP-MiM电容，容量大约每平方毫米200fF，可以获得更高的运行频率。
按照台积电的说法，28nm工艺以来，历经六代工艺改进，单位面积的能效比已经提升了超过140倍！
目前，台积电N2处于风险试产阶段，计划2025年下半年量产。
同时，台积电还在研发N2P，也就是N2的增强版本，预计带来5%的性能提升，并完全兼容N2，计划2025年完成资格认证阶段，2026年量产。
随着台积电N2的量产，2nm晶圆的代工报价可能将达到2.5万-3万美元/片(约合人民币14.6万-21.9万元)，远高于当前3nm晶圆约2万美元/片的价格。
公开报道显示，2004年台积电发布90nm工艺的时候，彼时晶圆报价近2000美元，而制程技术到2016年演进至10nm后，报价增幅显著，达到6000美元。
进入7nm、5nm制程世代后，报价破万，5nm更是高达16000美元，且该统计价格尚未计入台积电2023年6%的涨幅。
iPhone 18 Pro系列将首发搭载A20 Pro处理器，而这颗芯片回首发台积电2nm工艺制程，芯片价格由目前的50美元上涨至85美元，涨幅高达70%、
随着成本的上涨，iPhone 18 Pro最终售价可能会涨。
在今年10月份，高通、联发科旗舰芯片全部转向3nm工艺制程，相关终端掀起了一轮涨价潮，半导体业内人士预计，由于先进制程报价居高不下，芯片厂商成本高企，势必将成本压力转嫁给下游客户或终端消费者。
