美国商务部近日宣布，与德国汽车零部件供应商博世达成初步协议，向其提供至多2.25亿美元补贴和3.5亿美元政府贷款，用于在加州生产碳化硅功率半导体。
资金支持：美国商务部与博世签署了一份不具约束力的初步条款备忘录（PMT），根据《芯片与科学法案》向博世提供高达2.25亿美元的拟议直接补贴资金。此外，博世还可能获得约3.5亿美元的拟议贷款，这是《芯片与科学法案》提供的750亿美元贷款授权的一部分。投资计划：这笔资金将支持博世投资19亿美元改造其位于加州罗斯维尔的制造工厂，用于生产碳化硅（SiC）功率半导体。就业创造：该投资预计将在加州创造多达1,000个建筑工作岗位和多达700个制造、工程和研发工作岗位。
产能预期：满负荷生产后，该拟议项目预计将生产博世SiC半导体总产能的大部分，并可能占美国所有SiC器件制造产能的40%以上。技术与市场领导：美国商务部部长Gina Raimondo表示，SiC芯片对于汽车、电信和国防行业非常重要，因为它们能效更高。这项投资有助于确保供应链更安全，同时创造预期的就业机会。项目启动时间：博世预计将从2026年开始在其罗斯维尔工厂生产首批200毫米晶圆芯片。政策目标：《芯片与科学法案》的核心任务之一是在整个半导体行业中进行有针对性的投资，以加速创新并推进美国的科技领导地位。短评：博世此番获得获得美国《芯片与科学法案》的支持，对增强其全球碳化硅芯片的生产能力和市场竞争力有促进作用。但同时在当前比较敏感地缘政治环境下，选择在美国加大投资，也可能面临在中国市场的产能扩张限制，这对博世来说既是一个提升全球供应链稳定性的机遇，也是一个需要在中美市场间平衡战略的挑战。这一发展将促使博世在全球范围内优化产能布局，同时可能需要调整其在中国市场的业务策略，以确保符合美国政策要求并维持在中国的增长势头。
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