瞄准第三代半导体碳化硅!博世获美国商务部2.25亿美元补贴

DT半导体材料 2024-12-16 17:49

在新能源、5G、光伏等下游领域驱动下,以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体产业正高速发展。半导体大厂积极布局,与此同时,各国也正加大补贴力度推动第三代半导体产业持续向前迈进,美国是其中之一。
据报道,美国当地时间12月13日,拜登-哈里斯政府宣布,美国商务部与德国汽车零部件供应商博世达成初步协议,根据《芯片和科学法案》提供高达 2.25 亿美元的补贴。这笔投资将支持博世计划投资 19 亿美元,用以改造其位于加州罗斯维尔的制造工厂,生产碳化硅(SiC)功率半导体。这将显著提博世的生产能力,并为加州创造多超过1,000 个建筑岗位和700 个制造、工程和研发岗位。
除了高达 2.25 亿美元的直接资助外,芯片计划办公室还将根据 PMT 向博世提供约 3.5 亿美元的拟议贷款。
   博世持续蓄力碳化硅
随着碳化硅在汽车电子领域的优势逐步显现,作为全球第一大汽车零部件及系统供应商,博世早在2019年就开始探索碳化硅车用业务。
图片来源于网络
博世是领先的一级汽车供应商,其差异化特征之一是其产品组合中的专业半导体业务。博世将在罗斯维尔生产的碳化硅器件对于提高电动汽车驾驶和充电的效率至关重要。满负荷生产后,该项目预计将生产博世碳化硅半导体总产能的大部分,并可能占美国所有碳化硅器件制造产能的 40% 以上。
2021年底,博世开始在德国罗伊特林根工厂大规模量产碳化硅芯片,以应用于电动和混动汽车的电力电子器件中。目前,博世针对该工厂的规划已经过多次修改,投资金额和产能不能提升。
近年来,博世在全球范围内持续加码碳化硅布局,尤其是中国和美国两个大市场。
随着中国新能源汽车市场的火热发展,博世在2023年1月12日与苏州工业园区管理委员会签署投资协议,并宣布在苏州投资建立博世新能源汽车核心部件及自动驾驶研发制造基地。
据悉,博世计划在未来几年内累计向该项目投资约70亿人民币。项目研发生产方向则将围绕新能源汽车核心部件,包括商用车电动化所需的配备了新一代碳化硅功率模块单元的电驱产品。
随后在2023年8月,博世表示,其已经收购了加州芯片制造商TSI Semiconductors,将在美国建立碳化硅芯片制造基地。随着博世在美国获得补贴,并开始碳化硅芯片工厂建设计划,该公司碳化硅芯片产能有望进一步提升。
博世也预计将于 2026 年开始在其罗斯维尔工厂生产。该工厂将执行前端设备制造和后端测试、分类和切割工艺。这一举措,将推动博世成为碳化硅功率器件领域又一家转型8英寸的厂商。
值得关注的是,从各大厂商的8英寸发展规划可以看出,2025年有望成为8英寸碳化硅器件密集投产期,进而推动碳化硅产业链全面进入8英寸时代。

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